[發明專利]一種刻蝕熔絲氧化層的方法

在審

• 申請號: 201610428631.2
• 申請日: 2016-06-16
• 公開（公告）號: CN107516632A
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 許斌
• 申請（專利權）人: 許斌
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01L23/525
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 徐鵬飛

1.一種刻蝕熔絲氧化層的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S101、將與熔絲結構配合的量測裝置放置在劃片槽中，通過所述量測裝置測量熔絲結構兩側氧化層的原始厚度；所述熔絲結構為多晶硅熔絲或金屬熔絲；

S102、根據鈍化層需要殘留的氧化層厚度和所述原始厚度，計算所需刻蝕的氧化層的量；根據刻蝕機的刻蝕速度，確定刻蝕時間；其中，所述鈍化層材料選自氮氧化硅；其中，所述刻蝕機采用干法刻蝕；

S103、根據所述刻蝕時間確定刻蝕制程，完成熔絲結構兩側氧化層的刻蝕；

S104、進行晶圓測試。

2.根據權利要求1所述的刻蝕熔絲氧化層的方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕氣體為八氟環丁烷、氧氣、一氧化碳及二氧化碳的混合氣體。