[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610424193.2
• 申請(qǐng)日: 2016-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN106992184B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李起洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/11556
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 王建國(guó);許偉群

一種半導(dǎo)體器件可以包括：源極層、層疊結(jié)構(gòu)、溝道層、縫隙和源極拾取線。源極層可以包括在其上表面內(nèi)的至少一個(gè)凹槽。層疊結(jié)構(gòu)可以形成在源極層之上。溝道層可以穿過層疊結(jié)構(gòu)。溝道層可以與源極層接觸。縫隙可以穿過層疊結(jié)構(gòu)。縫隙可以通過穿過層疊結(jié)構(gòu)而暴露出源極層的凹槽。源極拾取線可以形成在縫隙和凹槽內(nèi)。源極拾取線可以與源極層接觸。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年1月18日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2016-0006075的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的一個(gè)方面總體而言涉及一種電子器件及其制造方法，更具體地，涉及一種三維半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器件為即使在沒有電源的情況下也能保持其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件。由于結(jié)構(gòu)和材料問題，傳統(tǒng)的二維非易失性存儲(chǔ)器件已經(jīng)達(dá)到它們的存儲(chǔ)容量的極限。這些極限增加了半導(dǎo)體工業(yè)在三維非易失性存儲(chǔ)器件(其中，存儲(chǔ)單元垂直地層疊在襯底之上)的興趣。

在三維非易失性存儲(chǔ)器件的示例中，可以通過交替地層疊導(dǎo)電層和絕緣層來(lái)形成層疊結(jié)構(gòu)，并且溝道層可以形成為穿過層疊結(jié)構(gòu)，由此同時(shí)地形成多個(gè)存儲(chǔ)單元。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例提供了易于制造且具有改善特性的半導(dǎo)體器件的制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體器件可以包括：源極層、層疊結(jié)構(gòu)、溝道層、縫隙和源極拾取線。源極層可以包括在其上表面內(nèi)的至少一個(gè)凹槽。層疊結(jié)構(gòu)可以形成在源極層之上。溝道層可以穿過層疊結(jié)構(gòu)。溝道層可以與源極層接觸。縫隙可以穿過層疊結(jié)構(gòu)。縫隙可以通過穿過層疊結(jié)構(gòu)而暴露出源極層的凹槽。源極拾取線可以形成在縫隙和凹槽內(nèi)。源極拾取線與源極層接觸。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種半導(dǎo)體器件可以包括：源極層、層疊結(jié)構(gòu)、溝道層、縫隙、縫隙絕緣層。源極層可以包括在其上表面內(nèi)的至少一個(gè)凹槽。層疊結(jié)構(gòu)可以形成在源極層上。溝道層可以穿過層疊結(jié)構(gòu)。溝道層可以與源極層接觸。縫隙可以穿過層疊結(jié)構(gòu)。縫隙可以通過穿過層疊結(jié)構(gòu)而暴露出源極層的凹槽。縫隙絕緣層可以與源極層接觸。縫隙絕緣層可以形成在縫隙和凹槽內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括：形成犧牲層，在犧牲層上交替地形成第一材料層和第二材料層，形成穿過第一材料層和第二材料層的半導(dǎo)體層，形成穿過第一材料層和第二材料層的縫隙，通過經(jīng)由縫隙去除犧牲層而形成第一開口，在第一開口內(nèi)形成與半導(dǎo)體層接觸的第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層包括與縫隙的下部鄰接的凹槽，以及在縫隙和凹槽內(nèi)形成第二導(dǎo)電層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種制造半導(dǎo)體器件的方法可以包括：形成犧牲層，在犧牲層上形成第一材料層，在第一材料層上交替地形成第二材料層和第三材料層，形成穿過第一材料層至第三材料層的半導(dǎo)體層，形成穿過第一材料層至第三材料層的縫隙，通過經(jīng)由縫隙部分地去除第一材料層而形成第一開口，通過經(jīng)由縫隙去除第三材料層而形成第二開口，在第二開口內(nèi)形成第一導(dǎo)電層，以及將經(jīng)由縫隙和第一開口暴露出的第一材料層和犧牲層氧化，并且形成設(shè)置在犧牲層上且形成在第一開口內(nèi)的保護(hù)層。

附圖說(shuō)明

圖1A至圖1D為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖2A至圖2G為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一種示例性制造方法的截面圖。

圖3A至圖3I為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一種示例性制造方法的截面圖。

圖4為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一種示例性制造方法的截面圖。

圖5和圖6為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的示例性配置的圖。

圖7和圖8為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)的示例性配置的圖。