[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201610424193.2
• 申請日: 2016-06-15
• 公開（公告）號: CN106992184B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 李起洪
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11556
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 王建國;許偉群

1.一種半導體器件，包括：

源極層，包括在其上表面內的至少一個凹槽；

層疊結構，形成在源極層之上；

溝道層，穿過層疊結構，溝道層與源極層接觸；

縫隙，穿過層疊結構，縫隙通過穿過層疊結構而暴露出源極層的凹槽；以及

源極拾取線，形成在縫隙和凹槽內，源極拾取線與源極層接觸，

其中，縫隙的寬度比至少一個凹槽要窄。

2.一種半導體器件，包括：

源極層，包括在其上表面內的至少一個凹槽；

層疊結構，形成在源極層之上；

溝道層，穿過層疊結構，溝道層與源極層接觸；

縫隙，穿過層疊結構，縫隙通過穿過層疊結構而暴露出源極層的凹槽；以及

源極拾取線，形成在縫隙和凹槽內，源極拾取線與源極層接觸，

其中，源極拾取線包括：

第一區，形成在凹槽內；以及

第二區，形成在縫隙內，第二區具有比第一區窄的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，源極拾取線包括金屬。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括形成在縫隙的內壁上的絕緣間隔件。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，源極層包括：

第一源極層，設置在單元區內；以及

第二源極層，形成在第一源極層上，第二源極層包括凹槽。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，還包括：

晶體管，設置在外圍區內，晶體管具有由與第一源極層相同的材料形成的柵電極。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，還包括：

電阻器圖案，設置在外圍區內，電阻器圖案設置在與第二源極層大體上相同的水平處。

8.一種半導體器件，包括：

源極層，包括在其上表面內的至少一個凹槽；

層疊結構，形成在源極層之上；

溝道層，穿過層疊結構，溝道層與源極層接觸；

縫隙，穿過層疊結構，縫隙通過穿過層疊結構而暴露出源極層的凹槽；以及

源極拾取線，形成在縫隙和凹槽內，源極拾取線與源極層接觸，以及

插置在源極層與層疊結構之間的至少一個空隙。

9.一種半導體器件，包括：

源極層，其設置在單元區內并包括位于其上表面內的至少一個凹槽；

層疊結構，形成在源極層上；

溝道層，穿過層疊結構，溝道層與源極層接觸；

縫隙，穿過層疊結構，縫隙通過穿過層疊結構而暴露出源極層的凹槽；

縫隙絕緣層，與源極層接觸，并且形成在縫隙和凹槽內；以及

電阻器圖案，設置在外圍區內，電阻器圖案設置在與源極層對應的水平處，

其中，縫隙的寬度比至少一個凹槽要窄。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，源極層包括：

第一源極層；以及

第二源極層，形成在第一源極層上，第二源極層包括凹槽。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，第一源極層包括順序層疊的第一多晶硅層、金屬層和第二多晶硅層。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，還包括：

晶體管，設置在外圍區內，晶體管具有由與第一源極層相同的材料形成的柵電極。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，

其中，電阻器圖案設置在與第二源極層大體上相同的水平處。

14.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中，縫隙絕緣層包括：

第一區，形成在凹槽內；以及

第二區，形成在縫隙內，第二區具有比第一區窄的寬度。