[發明專利]內離子源回旋加速器

有效

• 申請號: 201610416387.8
• 申請日: 2016-06-15
• 公開（公告）號: CN105848403B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 何小中;趙良超;龐健;馬超凡;張開志;鄧建軍;石金水;劉本玉;章林文;李雷;李勁;楊國君;楊興林;楊振;荊曉兵;董攀;楊安民;江孝國;唐蜜;龍全紅
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院流體物理研究所
• 主分類號: H05H13/00
• 分類號: H05H13/00;H05H7/00;A61B6/03
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 何龍

1.內離子源回旋加速器，其特征在于，包括：

相對于一平面上下對稱設置的上磁極和下磁極；

分別圍繞所述上磁極和所述下磁極外周面的上線圈和下線圈；

多個圍繞所述上線圈布置的上磁軛，多個圍繞所述下線圈布置的下磁軛；

位于所述上磁極和所述下磁極之間，并與所述上磁極和所述下磁極連接的真空盒；所述上磁極開設有從上至下貫穿所述上磁極，且與所述真空盒連通的上通道；

貫穿所述真空盒的壁，且出射端位于所述真空盒內的離子源；

位于所述上磁極上方的分子泵，所述分子泵的輸入端朝下設置，所述分子泵的輸入端與所述上通道連通。

2.根據權利要求1所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

所述上磁極包括上磁極底座，圍繞所述上磁極底座的中軸線均勻間隔設置于所述上磁極底座下表面的四個扇形的上磁極尖，以及設置在所述上磁極尖側面的上鑲條；

所述下磁極包括下磁極底座，圍繞所述下磁極座的中軸線均勻間隔設置于所述下磁極底座上表面的四個扇形的下磁極尖，以及設置在所述下磁極尖側面的下鑲條。

3.根據權利要求2所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

八個所述上鑲條中，部分構成與所述上磁極尖固定連接的固定上鑲條，另一部分構成與所述上磁極尖可拆卸連接的活動上鑲條；

八個所述下鑲條中，部分構成與所述下磁極尖固定連接的固定下鑲條，另一部分構成與所述下磁極尖可拆卸連接的活動下鑲條。

4.根據權利要求3所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

八個所述上鑲條中，其中四個所述上鑲條構成所述固定上鑲條，另外四個所述上鑲條構成所述活動上鑲條；

八個所述下鑲條中，其中四個所述下鑲條構成所述固定下鑲條，另外四個所述下鑲條構成所述活動下鑲條。

5.根據權利要求4所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

所述上磁極尖的一個側面設置所述活動上鑲條，所述上磁極尖的另一個側面設置所述固定上鑲條；相鄰的所述上磁極尖的相鄰的側面設置相同種類的所述上鑲條；

所述下磁極尖的一個側面設置所述活動下鑲條，所述下磁極尖的另一個側面設置所述固定下鑲條；相鄰的所述下磁極尖的相鄰的側面設置相同種類的所述下鑲條。

6.根據權利要求1～5中任意一項所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

所述下磁極開設有從下至上貫穿所述下磁極，且與所述真空盒連通的下通道；

所述內離子源回旋加速器還包括貫穿所述下通道并與所述離子源連接的位置調節機構。

7.根據權利要求6所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

所述位置調節機構包括驅動電機和連桿組件；所述連桿組件位于所述真空盒內，所述驅動電機的轉軸貫穿所述下通道與所述連桿組件的一端連接，所述連桿組件的另一端與所述離子源的出射端連接。

8.根據權利要求7所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

所述連桿組件包括第一連桿和第二連桿，所述第一連桿的后端與所述第二連桿的前端可轉動地連接，所述第一連桿的前端與所述離子源可轉動的連接，所述第二連桿的后端與所述驅動電機的轉軸連接。

9.根據權利要求8所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

所述第一連桿的前端與所述離子源的出射端可轉動的連接。

10.根據權利要求8所述的內離子源回旋加速器，其特征在于：

所述驅動電機的轉軸通過偏心輪與所述第二連桿的后端連接。