[發明專利]半導體器件的制作方法

有效

• 申請號: 201610414729.2
• 申請日: 2016-06-13
• 公開（公告）號: CN107492485B
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發明（設計）人: 馬萬里;趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/3213
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張蓮蓮;劉芳

本發明提供一種半導體器件的制作方法，包括：在半導體基底上形成柵氧化層；在所述柵氧化層上形成柵材料層；采用干法刻蝕工藝刻蝕所述柵材料層形成柵極，并在形成所述柵極的過程中對柵材料層進行去離子處理。根據本發明，在采用干法刻蝕工藝刻蝕柵材料層形成柵極的過程中，對柵材料層進行去離子處理，以避免過多的離子積累在柵材料層而導致柵氧化層發生擊穿損傷，進而能夠保證半導體器件的整體性能。

技術領域

本發明涉及半導體技術，尤其涉及一種半導體器件的制作方法。

背景技術

半導體(semiconductor)是指在常溫下，導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體的導電性是可控的，范圍可從絕緣體至幾個歐姆之間。現如今，大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是錄音機中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯，其在各種電子設備上都有著廣泛的應用。

現有技術中制作半導體的方法如下所示：

如圖1A所示，在半導體襯底101上形成柵氧化層102。

該半導體襯底101可以是硅襯底。

如圖1B所示，在柵氧化層102上形成柵材料層103。

該柵材料層103的材料具體是多晶硅。

如圖1C所示，在柵材料層103上形成具有圖案的光刻膠層104。

如圖1D所示，以光刻膠層104為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕柵材料層103，以形成柵極105。

上述過程中，干法刻蝕工藝是采用氣體進行離子刻蝕，氣體中的離子會在柵材料層103上積累，當積累到一定程度時，會導致柵氧化層102發生擊穿損傷，例如在圖1D中所示的區域P發生擊穿損傷，進而損壞半導體器件的整體性能。

發明內容

本發明提供一種半導體器件的制作方法，以解決現有技術中采用干法刻蝕形成柵極時容易造成柵氧化層發生擊穿損傷的問題。

本發明第一個方面提供一種半導體器件的制作方法，包括：

在半導體基底上形成柵氧化層；

在所述柵氧化層上形成柵材料層；

采用干法刻蝕工藝刻蝕所述柵材料層形成柵極，并在形成所述柵極的過程中對柵材料層進行去離子處理。

根據如上所述的制作方法，可選地，所述采用干法刻蝕工藝刻蝕所述柵材料層形成柵極，并在形成所述柵極的過程中對柵材料層進行去離子處理包括：

對所述柵材料層至少進行兩次干法刻蝕工藝，直至露出所述柵氧化層，以形成柵極，且每兩次干法刻蝕工藝之間對所述柵材料層進行去離子處理。

根據如上所述的制作方法，可選地，每次刻蝕所述柵材料層的深度相等。

根據如上所述的制作方法，可選地，每次刻蝕所述柵材料層的深度為所述柵材料層的原始厚度的1/5-1/2。

根據如上所述的制作方法，可選地，所述對柵材料層進行去離子處理包括：

采用電解液對所述柵材料層進行去離子處理。

根據如上所述的制作方法，可選地，所述采用電解液對所述柵材料層進行去離子處理包括：

將形成有柵材料層的半導體器件浸泡在所述電解液中；

對浸泡后的半導體器件進行沖洗和烘干操作。

根據如上所述的制作方法，可選地，所述電解液包括以下溶液中的至少一種：稀鹽酸、磷酸。