[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610414729.2
• 申請(qǐng)日: 2016-06-13
• 公開（公告）號(hào): CN107492485B
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬萬里;趙圣哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/3213
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張蓮蓮;劉芳

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體基底上形成柵氧化層；

在所述柵氧化層上形成柵材料層；

采用干法刻蝕工藝刻蝕所述柵材料層形成柵極，并在形成所述柵極的過程中對(duì)柵材料層進(jìn)行去離子處理；

其中，所述對(duì)柵材料層進(jìn)行去離子處理包括：

采用電解液對(duì)所述柵材料層進(jìn)行去離子處理；

其中，所述電解液包括以下溶液中的至少一種：稀鹽酸、磷酸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用干法刻蝕工藝刻蝕所述柵材料層形成柵極，并在形成所述柵極的過程中對(duì)柵材料層進(jìn)行去離子處理包括：

對(duì)所述柵材料層至少進(jìn)行兩次干法刻蝕工藝，直至露出所述柵氧化層，以形成柵極，且每兩次干法刻蝕工藝之間對(duì)所述柵材料層進(jìn)行去離子處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，每次刻蝕所述柵材料層的深度相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，每次刻蝕所述柵材料層的深度為所述柵材料層的原始厚度的1/5-1/2。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述采用電解液對(duì)所述柵材料層進(jìn)行去離子處理包括：

將形成有柵材料層的半導(dǎo)體器件浸泡在所述電解液中；

對(duì)浸泡后的半導(dǎo)體器件進(jìn)行沖洗和烘干操作。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述柵氧化層上形成柵材料層之后，且在對(duì)所述柵材料層至少進(jìn)行兩次干法刻蝕工藝之前，還包括：

在所述柵材料層上形成光刻膠層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述柵材料層至少進(jìn)行兩次干法刻蝕工藝包括：

以所述光刻膠層為掩膜，至少兩次采用干法刻蝕工藝刻蝕所述柵材料層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述柵材料層為多晶硅層。