[發明專利]DUT測試板及其使用方法

有效

• 申請號: 201610411868.X
• 申請日: 2016-06-12
• 公開（公告）號: CN107490755B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 辛軍啟
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

在本發明提供的DUT測試板及其使用方法中，所述DUT測試板包括電源信號選擇單元、DUT信號選擇單元和自動切換單元，利用DUT信號選擇單元的兩個選擇端口輸出需要的電源信號，進而將Vpp信號連接到所述待測樣品DUT的任意一個引腳上，并利用自動切換單元實現所述Vpp信號的自動接通和斷開，因此能夠同時滿足FT測試和VT測試的硬件要求，而且兼顧現有的硬件設置和測試程序，具有結構簡單、使用方便、檢測成本低的特點。

技術領域

本發明涉及集成電路檢測技術領域，特別涉及一種DUT測試板及其使用方法。

背景技術

隨著存儲技術的發展，出現了各種類型的存儲器，如隨機存儲器(Random AccessMemory，簡稱RAM)、只讀存儲器(Read-Only Memory，簡稱ROM)、動態隨機存儲器(DynamicRandom Access Memory，簡稱DRAM)、可擦除可編程只讀存儲器(Erasable ProgrammableRead Only Memory，簡稱EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory，簡稱EEPROM)和閃存(Flash)等。其中，閃存(Flash)是一種非易失存儲器，斷電后數據也不會丟失，而且可在電腦或者專用設備上擦除已有信息，重新編程，即插即用。

或非門存儲芯片(Nor-flash)是現在市場上應用最廣的閃存芯片之一，它的出現徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。為了保證Nor-flash的性能和質量，需要對Nor-flash進行各種測試，以剔除掉不合格的產品。其中，功能測試(Functional Test，簡稱FT)和模擬測試(Virtualization Test，簡稱VT)均是Nor-flash的常規測試。進行測試時，均先將待測樣品(通常是經過簡單封裝的芯片)插到待測樣品(Device Under Test，簡稱DUT)測試板上，再將DUT測試板接到測試機臺(Tester)上，通過測試機臺的測試獲得相應的測試數據。

對于Nor-flash而言，其電源脈沖電源(voltage pulse power，簡稱Vpp)信號的驅動能力非常弱。因此，在擦寫過程當中非常容易受到外界的影響。為此，在進行擦寫動作時Nor-flash的Vpp信號端一般與外界斷開。FT測試包含了擦出和寫入動作的電性測試，因此進行FT測試時待測產品的Vpp信號端處于懸空狀態。而在VT測試過程中，則需要通過所述Vpp信號端向所述待測產品提供測試所需的電壓。由此可見，所述FT測試與VT測試在硬件連接上是有差異的。

目前，FT測試和VT測試通常需要使用不同的DUT測試板，在不同的測試程序中完成。雖然，部分DUT測試板通過跳線方式能夠改變連接線路，實現Vpp信號端與測試通道(tester channel)或接地信號端(GND)的連接。即在FT測試時待接地信號端(GND)與待測產品的Vpp信號端連接(此時Vpp信號端處于懸空狀態)，而在VT測試時測試通道(testerchannel)通過跳線與待測產品的Vpp信號端連接(此時tester channel通過Vpp信號端向待測產品提供測試所需的電壓)。但是，進行FT測試和VT測試仍需建立不同的測試程序，分別進行。而且，跳線方式是通過外部短接線實現的，因此Vpp信號端與測試通道的連接方式是固定的，無法實現自動切換。

基此，如何解決現有的Nor-flash無法在同一測試程序中完成FT測試和VT測試的問題，成了本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種DUT測試板及其使用方法，以解決現有技術中Nor-flash無法在同一測試程序中完成FT測試和VT測試的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種DUT測試板，所述DUT測試板包括：電源信號選擇單元、DUT信號選擇單元和自動切換單元；