[發明專利]負壓輸出電路有效
| 申請號: | 201610408945.6 | 申請日: | 2016-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN107481760B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 羅光燕;倪昊;周耀 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(天津)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/30 | 分類號: | G11C16/30 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 300385 天津市*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸出 電路 | ||
1.一種負壓輸出電路,其特征在于,包括依次連接的負壓探測單元、比較單元和輸出單元,其中,第一輸入端、第二輸入端、第一電源端和第二電源端連接所述輸出單元,所述第一輸入端、所述第二輸入端以及所述第一電源端還連接所述比較單元,所述第二電源端還連接所述負壓探測單元;所述負壓探測單元輸出比較信號到所述比較單元,當所述第二電源端的電壓下降到一預設值時,所述負壓探測單元將所述比較信號拉高,所述比較單元將所述第一輸入端、所述第二輸入端以及所述第一電源端的電壓拉低;
其中,所述輸出單元包括:用于輸出電壓的第一輸出端和第二輸出端;第一PMOS晶體管,連接于所述第一電源端和所述第一輸出端之間,柵極連接所述第一輸入端;第二PMOS晶體管,連接于所述第一電源端和所述第二輸出端之間,柵極連接所述第二輸入端;第一NMOS晶體管,連接于所述第一輸出端與所述第二電源端之間,柵極連接所述第二輸出端;第二NMOS晶體管,連接于所述第二輸出端與所述第二電源端之間,柵極連接所述第一輸出端。
2.如權利要求1所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述比較單元包括:
第一或非電路,輸入端連接第三輸入端和所述比較信號,輸出端連接所述第二輸入端;
第二或非電路,輸入端連接所述第二輸入端和所述比較信號,輸出端連接所述第一輸入端;
反相電路,輸入端連接所述比較信號,輸出端連接所述第一電源端。
3.如權利要求1所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述負壓探測單元包括依次連接的第一控制單元、探測單元、第二控制單元以及信號輸出單元;所述第一控制單元用于控制所述探測單元中電路的開關,所述探測單元用于探測所述第二電源端的電壓,并根據所述第二電源端與所述預設值之間的關系輸出不同的電位信號到所述第二控制單元,所述第二控制單元接收所述探測單元輸出的信號,控制所述信號輸出單元輸出不同的所述比較信號。
4.如權利要求3所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述探測單元包括:
第三PMOS晶體管,連接于所述第一電源端與第一節點之間,柵極連接第一控制信號;
第三NMOS晶體管,連接于所述第一節點與第二節點之間,柵極連接第三電源端;
第四NMOS晶體管,連接于所述第二節點與所述第二電源端之間,柵極連接控制電壓。
5.如權利要求4所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述探測單元和所述第二控制單元之間還包括有第六NMOS晶體管,所述第六NMOS晶體管的源極和漏極連接于所述第三電源端之間,柵極連接所述第一節點。
6.如權利要求4所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述第二控制單元包括:
第四PMOS晶體管,連接于所述第一電源端和第三節點之間,柵極連接所述第三電源端;
第五PMOS晶體管,連接于所述第三節點與第四節點之間,柵極連接所述第一節點;
第五NMOS晶體管,連接于所述第四節點與所述第三電源端之間,柵極連接所述第一電源端。
7.如權利要求6所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述信號輸出單元包括:第三或非電路,輸入端連接所述第三節點和第二控制信號,輸出端連接所述比較信號。
8.如權利要求7所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述第三或非電路的輸出端與所述比較信號之間還依次連接第二反相電路和第三反相電路。
9.如權利要求7所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述第一控制單元包括:
第四或非電路,輸入端連接所述第三電源端和所述第二控制信號;
第四反相電路,輸入端連接所述第四或非電路的輸出端,輸出端連接所述第一控制信號。
10.如權利要求9所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述第一控制信號為高電位,所述第二控制信號為低電位。
11.如權利要求4~10中任意一項所述的負壓輸出電路,其特征在于,所述第三電源端為接地端。
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