[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610407516.7
• 申請日: 2016-06-12
• 公開（公告）號: CN107492495A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭大燮;方磊;楊廣立;陳德艷
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 高靜,吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成掩膜層，所述掩膜層具有底部露出所述襯底的開口；

在所述開口底部的襯底內(nèi)形成隔離結(jié)構(gòu)；

對所述開口露出的隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行減薄處理，在所述隔離結(jié)構(gòu)頂部形成凹槽；

形成位于所述襯底上的柵極，所述柵極覆蓋部分所述凹槽。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟中，開口底部和開口相鄰的掩膜層下方均形成有隔離結(jié)構(gòu)，并且，從開口側(cè)壁至開口相鄰的掩膜層方向上，所述隔離結(jié)構(gòu)的厚度逐漸減小。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料為氧化物。

4.如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，提供襯底之后，形成掩膜層之前，還包括：在所述襯底上形成氧化層；

形成所述隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：通過局部硅氧化的方式形成所述隔離結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，對所述開口露出的隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行減薄處理，在所述隔離結(jié)構(gòu)頂部形成凹槽的步驟包括：以所述掩膜層為掩模，刻蝕去除所述開口底部隔離結(jié)構(gòu)的部分厚度，在所述隔離結(jié)構(gòu)頂部形成凹槽。

6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，刻蝕所述開口底部隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：通過干法刻蝕的方式去除所述開口底部隔離結(jié)構(gòu)的部分厚度。

7.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，刻蝕去除隔離結(jié)構(gòu)的厚度小于所述隔離結(jié)構(gòu)厚度的一半。

8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述凹槽的步驟中，所述凹槽的深度與剩余所述隔離結(jié)構(gòu)厚度的比值小于1。

9.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于形成橫向擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管；

在形成所述凹槽之后，在形成所述柵極之前，所述形成方法還包括：在所述襯底內(nèi)形成包圍所述隔離結(jié)構(gòu)的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子。

10.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)用于形成橫向擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管；

提供襯底之后，形成所述掩膜層之前，所述形成方法還包括：在所述襯底內(nèi)形成第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子；

形成掩膜層的步驟中，所述開口的底部露出部分所述第一摻雜區(qū)的襯底；

形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：形成位于所述第一摻雜區(qū)內(nèi)的所述隔離結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求9或10所述的形成方法，其特征在于，形成第一摻雜區(qū)的步驟包括：通過離子注入的方式在所述襯底內(nèi)形成所述第一摻雜區(qū)。

12.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成第一摻雜區(qū)的步驟中，對所述隔離結(jié)構(gòu)下方以及與所述隔離結(jié)構(gòu)相鄰的部分襯底進(jìn)行離子注入。

13.如權(quán)利要求9或10所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法還包括：

在所述襯底內(nèi)形成與所述第一摻雜區(qū)相間隔的第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)內(nèi)具有第二摻雜離子；

形成柵極的步驟中，所述柵極還位于部分所述第二摻雜區(qū)上方。

14.如權(quán)利要求13所述的形成方法，其特征在于，形成柵極之后，所述形成方法還包括：

在所述隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述柵極一側(cè)的第一摻雜區(qū)內(nèi)形成漏區(qū)，所述漏區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子；

在所述柵極露出的第二摻雜區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，所述源區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子。

15.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)頂部具有凹槽；

位于所述襯底上的柵極，所述柵極覆蓋部分所述凹槽。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，從所述凹槽側(cè)壁至相鄰襯底方向上所述隔離結(jié)構(gòu)的厚度逐漸減小。

17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)為局部硅氧化隔離結(jié)構(gòu)。

18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度與所述凹槽底部隔離結(jié)構(gòu)厚度的比值小于1。