[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610407346.2
• 申請日: 2016-06-12
• 公開（公告）號: CN107492521B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周飛;洪中山
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/10
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括多個第一區(qū)以及位于所述第一區(qū)之間的第二區(qū)；

形成位于所述襯底表面的多個鰭部；

通過流體化學(xué)氣相沉積方式在相鄰所述鰭部之間填充隔離層，位于第一區(qū)襯底表面的隔離層為第一隔離層，位于第二區(qū)襯底表面的隔離層為第二隔離層；

去除所述第二區(qū)襯底表面的鰭部以及所述第二隔離層形成開口，所述開口的側(cè)壁為第一隔離層且底部為第二襯底；

對開口的側(cè)壁進(jìn)行抗氧化處理，形成抗氧化層；

抗氧化處理之后，在開口中形成隔離結(jié)構(gòu)；

在開口中形成隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：在所述第二區(qū)的襯底表面形成隔離材料，并通過水汽退火的方式對所述隔離材料進(jìn)行退火處理。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述抗氧化處理的步驟包括：對所述第一隔離層側(cè)壁進(jìn)行抗氧化離子注入的方式進(jìn)行所述抗氧化處理。

3.如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，對所述第一隔離層側(cè)壁進(jìn)行抗氧化離子注入的方式進(jìn)行所述抗氧化處理的步驟包括：通過硅注入的方式進(jìn)行所述抗氧化處理。

4.如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，通過硅注入的方式進(jìn)行所述抗氧化處理的步驟中，所述硅注入的注入能量在2KeV到20KeV范圍內(nèi)，注入劑量在1.0E14atom/cm²到5.0E16atom/cm²范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述抗氧化處理的步驟包括：通過對所述第一隔離層側(cè)壁進(jìn)行抗氧化表面處理的方式進(jìn)行所述抗氧化處理。

6.如權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，通過對所述第一隔離層側(cè)壁進(jìn)行抗氧化表面處理的方式進(jìn)行所述抗氧化處理的步驟包括：通過硅烷表面處理的方式進(jìn)行所述抗氧化處理。

7.如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，通過硅烷表面處理的方式進(jìn)行所述抗氧化處理的步驟中，所述硅烷表面處理的工藝參數(shù)包括：所述工藝氣體的壓強(qiáng)在100Torr到600Torr范圍內(nèi)，工藝氣體流量在20sccm到800sccm范圍內(nèi)，工藝溫度在500℃到750℃范圍內(nèi)，表面處理時間在10s到1000s范圍內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，填充隔離層的步驟以及形成隔離材料的步驟中的一個或兩個步驟包括：通過流體化學(xué)氣相沉積的方式形成。

9.如權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，通過流體化學(xué)氣相沉積的方式形成隔離材料的步驟中，在所述第二區(qū)的襯底表面形成流體狀態(tài)的隔離材料；

對所述隔離材料進(jìn)行退火處理的過程中，所述退火處理使所述隔離材料固化形成隔離結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述隔離材料為含Si-H鍵、Si-N鍵以及Si-O鍵中一種或多種的聚合物。

11.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成襯底的步驟中，位于所述第二區(qū)表面鰭部的數(shù)量大于或等于1；

去除所述第二區(qū)襯底表面鰭部的步驟中，被除去的所述第二區(qū)襯底表面的鰭部數(shù)量大于或等于1。

12.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第二區(qū)襯底表面的鰭部以及所述第二隔離層形成開口的步驟包括：通過干法刻蝕的方式去除所述第二區(qū)襯底表面的鰭部以及所述第二隔離層，露出的所述第二區(qū)襯底以及所述第一隔離層的側(cè)壁圍成所述開口。

13.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供所述襯底和形成所述鰭部的步驟包括：

提供基底；

刻蝕所述基底，形成所述襯底以及位于所述襯底表面的多個鰭部。