[發明專利]用于有機電致發光元件的化合物及使用該化合物的有機電致發光元件

在審

• 申請號: 201610405258.9
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN107400116A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 黃賀隆;郭晃銘;林彥任;趙登志
• 申請（專利權）人: 昱鐳光電科技股份有限公司
• 主分類號: C07D401/10
• 分類號: C07D401/10;C07D235/18;C07D405/10;C07D471/04;C07D409/10;C09K11/06;H01L51/54
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 張福根,馮志云

技術領域

本發明有關一種用于有機電致發光元件的化合物及使用該化合物的有機電致發光元件。

背景技術

為滿足有機電致發光元件(OLED)的應用，已更重視新穎有機材料的開發。此類元件，因為在制造高發光率的高密度像素顯示器上提供有成本優勢，更具有長壽命、高效率、低驅動電壓及廣色域，而具商業性吸引力。

典型的OLED包括至少一夾置于陽極與陰極之間的有機發射(organicemissive)層。當施加電流時，陽極注入空穴且陰極注入電子至該一層或多層有機發射層，被注入的空穴及電子各自遷移(migrate)至相反的帶電荷電極。當電子及空穴局限在相同的分子上時，形成“激子(exciton)”，該激子具有受激發能態的局限化電子-空穴對，供激子通過發光機制松弛而發射光。為了提升此類元件的電荷傳輸能力及發光效率，已于發光層旁結合一層或多層的額外層體，例如電子傳輸層及/或空穴傳輸層，或電子阻擋層及/或空穴阻擋層。例如，US5707745及US9153787已揭示在主體材料摻雜另一材料(客體)，以提升元件性能及調整色度。

制造具多層薄膜結構OLED的原因包含使該等電極及有機層之間的界面穩定。因在有機材料中，電子及空穴的遷移率(mobility)明顯不同，若使用相稱的空穴傳輸及電子傳輸層，空穴及電子可有效地傳輸至該發光層；且若在該發射層的空穴及電子的密度平衡時，可增加發光效率。因此，適當結合上述有機層可增進元件效率及壽命。

US5645948及US5766779揭露一種代表性材料，即1,3,5-叁(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。TPBI在苯的1、3、5取代位置具有三個N-苯基苯并咪唑基，可作為電子傳輸材料及發射藍光的材料。然而，TPBI的操作穩定性較低。故仍難以做為滿足所有實際顯示器應用的需求的有機材料。

另外，昱鐳光電科技股份有限公司的US9153787與US20140284580A1揭露兩系列化合物，揭示以含有熒蒽(fluoranthene)的衍生物結合咪唑或二苯并噻吩的結構。然而，其中熒蒽結合咪唑的結構當作電子傳輸材料，以現在觀點來看，雖然元件使用壽命較長，但是驅動電壓偏高，而熒蒽結合二苯并噻吩的結構，驅動電壓也偏高。

因此，亟需開發一種電子傳輸材料，以延長元件壽命，并可提高發光效率和維持低的驅動電壓。

發明內容

本發明的一目的在于提供一種具有高發光效率、低驅動電壓及較長壽命的用于OLED的材料。

本發明提供一種用于OLED的式(I)化合物：

其中，X表示經取代或未經取代的(C1-C10)烷基、經取代或未經取代的(C6-C30)芳基、經取代或未經取代的(5至30元)雜芳基；

Ar₁表示與式(I)化合物中的萘稠合(fused)的經取代或未經取代的(C6-C30)芳香烴或與式(I)化合物中的萘稠合的經取代或未經取代的(5至30元)雜芳烴；

n表示1或2的整數；

m表示0至2的整數；以及，

p表示0至2的整數。

本發明還提供一種有機電致發光元件，包含：陰極；陽極；以及有機層，形成于該陰極與陽極之間，且該有機層包含上述式(I)化合物。

本發明的有機電致發光元件的該有機層可為電子傳輸層、電子注入層、發光層、空穴阻擋層或電子阻擋層，且除了該有機層外，該有機電致發光元件還可包括不同于該有機層的電子傳輸層、電子注入層、發光層、空穴阻擋層及電子阻擋層所組成組的至少一層。

根據本發明，藉由本發明提供的式(I)化合物，可改善元件的穩定性及壽命，并降低操作電壓。

附圖說明

圖1為本發明的有機電致發光元件的一實施例的剖面示意圖；

圖2為本發明的有機電致發光元件的另一實施例的剖面示意圖；

圖3為本發明的有機電致發光元件的又一實施例的剖面示意圖；以及

圖4為有機電致發光元件的電致發光光譜。

其中，附圖標記說明如下：

100、200、300有機電致發光元件

110、210、310基底

120、220、320陽極

130、230、330空穴注入層

140、240、340空穴傳輸層

150、250、350發光層

160、260、360電子傳輸層

170、270、370電子注入層