[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610405073.8
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN107481933B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括襯底以及位于襯底上的分立的鰭部；

在所述鰭部之間的襯底上形成第一隔離層，所述第一隔離層頂部低于所述鰭部頂部；

在凸出于所述第一隔離層的鰭部側壁上形成阻擋層；

形成所述阻擋層后，在所述第一隔離層上形成第二隔離層，所述第二隔離層頂部與所述鰭部頂部齊平，所述第一隔離層和第二隔離層用于構成隔離結構；

形成橫跨所述鰭部且覆蓋鰭部部分頂部和側壁表面的柵極結構；

在所述第二隔離層上形成掩膜柵結構；

使用刻蝕工藝去除位于所述柵極結構兩側的部分厚度的鰭部，在所述鰭部內形成凹槽，所述凹槽的底部高于所述第一隔離層頂部，其中，所述刻蝕工藝對鰭部的刻蝕速率大于對所述阻擋層的刻蝕速率；

在所述凹槽內形成應力層；

在所述應力層內形成源漏摻雜區。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料與所述第二隔離層的材料不同。

3.如權利要求1或2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為非晶硅、非晶碳、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為至

5.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述阻擋層的工藝為原子層沉積工藝。

6.如權利要求5所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化硅，所述原子層沉積工藝的工藝參數包括：向原子層沉積室內通入的前驅體為含硅和氮的前驅體，前驅體的氣體流量為500sccm至5000sccm，工藝溫度為80攝氏度至300攝氏度，壓強為0.1托至20托，沉積次數為5次至200次。

7.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，在凸出于所述第一隔離層的鰭部側壁上形成阻擋層的步驟中，所述阻擋層還覆蓋所述第一隔離層頂部和鰭部頂部；

在所述第一隔離層上形成第二隔離層的步驟中，去除凸出于所述鰭部頂部的阻擋層。

8.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，凸出于所述第一隔離層的鰭部的高度至

9.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽后，在所述凹槽內形成應力層之前，所述制造方法還包括：對所述凹槽進行清洗工藝。

10.如權利要求9所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述清洗工藝的步驟包括：采用SICONI刻蝕工藝，對所述凹槽進行清洗；

或者，采用濕法刻蝕工藝對所述凹槽進行清洗，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕溶液為氫氟酸溶液。

11.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構為NMOS結構，所述凹槽垂直于所述襯底表面方向的剖面形狀為U形；

或者，所述半導體結構為PMOS結構，所述凹槽垂直于所述襯底表面方向的剖面形狀為Sigma形。

12.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第一隔離層和第二隔離層的材料相同。

13.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第一隔離層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述第二隔離層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。