[發明專利]層疊發熱體

有效

• 申請號: 201610404527.X
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN107481953B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 土佐晃文;乾靖彥;三輪要;篠崎洋輔
• 申請（專利權）人: 日本特殊陶業株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種層疊發熱體，該層疊發熱體包括：陶瓷基板，其具有表面和背面，能夠在所述表面支承被處理物；電極，其設于所述陶瓷基板，用于吸附所述被處理物；加熱器，其設于所述陶瓷基板，用于加熱所述被處理物；端子，其安裝于所述陶瓷基板的所述背面側的一端；以及供電路徑，通過該供電路徑自所述端子向所述加熱器供電，該層疊發熱體的特征在于，

所述供電路徑是將設于所述陶瓷基板內的多個導電層和多個貫通路組合而成的，

所述多個貫通路包含以下定義的貫通路α、貫通路β、貫通路γ以及貫通路δ，

至少存在1個滿足以下條件(1)和條件(2)的、貫通路α、貫通路β、貫通路γ以及貫通路δ的組合，

貫通路α是將所述加熱器與所述多個導電層之一的導電層X連接起來的貫通路，

貫通路β和貫通路γ是將所述多個導電層之一的導電層Y與所述導電層X連接起來的貫通路，

貫通路δ是將所述多個導電層之一的導電層Z與所述導電層Y連接起來或將所述端子與所述導電層Y連接起來的貫通路，

條件(1)：在自所述表面側朝向所述背面側觀察所述陶瓷基板時，所述貫通路δ位于與所述貫通路β重疊的位置或位于所述貫通路β的附近，

條件(2)：在自所述表面側朝向所述背面側觀察所述陶瓷基板時，所述貫通路γ位于所述貫通路α與所述貫通路δ之間的位置、或位于與所述貫通路α重疊的位置、或者位于所述貫通路α的附近。

2.根據權利要求1所述的層疊發熱體，其特征在于，

所述貫通路δ位于所述貫通路β的附近是指，自所述貫通路δ起到任意一個所述貫通路β為止的距離為所述貫通路δ的最大直徑的20倍以內的長度范圍。

3.根據權利要求1或2所述的層疊發熱體，其特征在于，

在將所述貫通路α、所述貫通路γ以及所述貫通路δ的位置投影到與自所述表面側朝向所述背面側去的方向正交的面上時，自所述貫通路α經由所述貫通路γ到達所述貫通路δ的路徑的長度L₁為自所述貫通路α直接到達所述貫通路δ的路徑的長度L₂的1.3倍以內。

4.根據權利要求1或2所述的層疊發熱體，其特征在于，

所述導電層X具有與所述貫通路β相連接且膜厚比周圍部分的膜厚大的區域。

5.根據權利要求3所述的層疊發熱體，其特征在于，

所述導電層X具有與所述貫通路β相連接且膜厚比周圍部分的膜厚大的區域。

6.根據權利要求1或2所述的層疊發熱體，其特征在于，

所述導電層Y具有與所述貫通路δ相連接且膜厚比周圍部分的膜厚大的區域。

7.根據權利要求3所述的層疊發熱體，其特征在于，

所述導電層Y具有與所述貫通路δ相連接且膜厚比周圍部分的膜厚大的區域。

8.根據權利要求4所述的層疊發熱體，其特征在于，

所述導電層Y具有與所述貫通路δ相連接且膜厚比周圍部分的膜厚大的區域。

9.根據權利要求5所述的層疊發熱體，其特征在于，

所述導電層Y具有與所述貫通路δ相連接且膜厚比周圍部分的膜厚大的區域。