[發(fā)明專利]層疊發(fā)熱體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610404527.X
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN107481953B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 土佐晃文;乾靖彥;三輪要;篠崎洋輔
• 申請（專利權(quán)）人: 日本特殊陶業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發(fā)明提供一種能夠抑制供電路徑的發(fā)熱的層疊發(fā)熱體。該層疊發(fā)熱體(1)包括陶瓷基板(3)、電極(4)、加熱器(5、7)、端子(11、13、15、17)以及供電路徑(19)，該層疊發(fā)熱體的特征在于，在構(gòu)成供電路徑的貫通路中，至少存在1個滿足以下條件(1)和條件(2)的貫通路α、β、γ、δ的組合。條件(1)：在自表面(3a)側(cè)朝向背面(3b)側(cè)觀察陶瓷基板時，貫通路δ位于與貫通路β重疊的位置或位于貫通路β的附近。條件(2)：在自表面?zhèn)瘸虮趁鎮(zhèn)扔^察陶瓷基板時，貫通路γ位于貫通路α與貫通路δ之間的位置、或位于與貫通路α重疊的位置、或者位于貫通路α的附近。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種層疊發(fā)熱體。

背景技術(shù)

以往，例如，在半導(dǎo)體制造裝置中，出于固定半導(dǎo)體晶圓(例如硅晶圓)并對其進行干蝕刻等加工或者吸附固定半導(dǎo)體晶圓并矯正其翹曲或者吸附半導(dǎo)體晶圓并對其進行輸送等目的而使用靜電卡盤。

在半導(dǎo)體制造裝置的干蝕刻裝置中使用靜電卡盤的情況下，固定于靜電卡盤的半導(dǎo)體晶圓的溫度會因部位的不同而產(chǎn)生偏差，從而導(dǎo)致蝕刻的加工精度變差。因此，為了提高半導(dǎo)體晶圓的加工精度，需要使半導(dǎo)體晶圓的溫度均勻。因此，想要在靜電卡盤的內(nèi)部設(shè)置加熱器，以利用該加熱器均勻地加熱半導(dǎo)體晶圓。

內(nèi)置有加熱器的靜電卡盤具有供電路徑，能夠通過該供電路徑自安裝于靜電卡盤的背面?zhèn)鹊囊欢说亩俗酉蚣訜崞鞴╇姡摴╇娐窂骄哂袑⒍鄠€導(dǎo)電層和多個貫通路(日文：スルービア)交替層疊而成的構(gòu)造。供電路徑中的、與加熱器相鄰的導(dǎo)電層的發(fā)熱量變大，該導(dǎo)電層的發(fā)熱使靜電卡盤的表面的溫度變得不均勻，結(jié)果，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓的溫度變得不均勻。

因此，提出通過在與加熱器相鄰的導(dǎo)電層附近將供電路徑分成多層并降低各層中的電流密度來抑制發(fā)熱的方法(參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2014－75525號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在專利文獻1所述的技術(shù)中，存在不能充分地抑制供電路徑中的發(fā)熱的情況。本發(fā)明是鑒于以上方面而做出的，其目的在于提供一種能夠解決所述問題的層疊發(fā)熱體。

用于解決問題的方案

本發(fā)明提供一種層疊發(fā)熱體，該層疊發(fā)熱體包括：陶瓷基板，其具有表面和背面，能夠在所述表面支承被處理物；電極，其設(shè)于所述陶瓷基板，用于吸附所述被處理物；加熱器，其設(shè)于所述陶瓷基板，用于加熱所述被處理物；端子，其安裝于所述陶瓷基板的所述背面?zhèn)鹊囊欢耍灰约肮╇娐窂剑ㄟ^該供電路徑自所述端子向所述加熱器供電，該層疊發(fā)熱體的特征在于，所述供電路徑是將設(shè)于所述陶瓷基板內(nèi)的多個導(dǎo)電層和多個貫通路組合而成的，所述多個貫通路包含以下定義的貫通路α、貫通路β、貫通路γ以及貫通路δ，至少存在1個滿足以下條件(1)和條件(2)的、貫通路α、貫通路β、貫通路γ以及貫通路δ的組合。

貫通路α是將所述加熱器與所述多個導(dǎo)電層之一的導(dǎo)電層X連接起來的貫通路。

貫通路β和貫通路γ是將所述多個導(dǎo)電層之一的導(dǎo)電層Y與所述導(dǎo)電層X連接起來的貫通路，

貫通路δ是將所述多個導(dǎo)電層之一的導(dǎo)電層Z與所述導(dǎo)電層Y連接起來或?qū)⑺龆俗优c所述導(dǎo)電層Y連接起來的貫通路。

條件(1)：在自所述表面?zhèn)瘸蛩霰趁鎮(zhèn)扔^察所述陶瓷基板時，所述貫通路δ位于與所述貫通路β重疊的位置或位于所述貫通路β的附近。

條件(2)：在自所述表面?zhèn)瘸蛩霰趁鎮(zhèn)扔^察所述陶瓷基板時，所述貫通路γ位于所述貫通路α與所述貫通路δ之間的位置、或位于與所述貫通路α重疊的位置、或者位于所述貫通路α的附近。