[發明專利]一種負升壓電路、半導體器件及電子裝置有效
| 申請號: | 201610402677.7 | 申請日: | 2016-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN107481745B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發明(設計)人: | 權彞振;倪昊;鄭曉;殷常偉 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G11C5/14 | 分類號: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 高偉;張建 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 升壓 電路 半導體器件 電子 裝置 | ||
1.一種負升壓電路,用于生成負偏壓,其特征在于,包括:
第一傳輸電路,所述第一傳輸電路配置為將基準信號傳輸至第一升壓節點,所述第一傳輸電路包括第一傳輸晶體管、第一電壓反饋節點、第一開關晶體管和第二開關晶體管,所述第一傳輸晶體管的源端與所述基準信號連接,所述第一傳輸晶體管的漏端與所述第一升壓節點連接,所述第一傳輸晶體管的柵端與所述第一電壓反饋節點連接,所述第一開關晶體管的源端與工作電源連接,所述第一開關晶體管的漏端與所述第一電壓反饋節點連接,所述第一開關晶體管的柵端與第一傳輸使能信號連接,所述第二開關晶體管的源端與所述第一電壓反饋節點連接,所述第二開關晶體管的漏端與所述第一升壓節點連接,所述第二開關晶體管的柵端與所述第一傳輸使能信號連接,所述第一傳輸使能信號配置為使所述第一開關晶體管關斷,第二開關晶體管導通;
第一延時電路,所述第一延時電路配置為基于所述第一傳輸電路的反饋信號和第一抬升使能信號生成第一電壓抬升信號;
第一電壓抬升電路,所述第一電壓抬升電路配置為基于所述第一電壓抬升信號將所述第一升壓節點的電壓轉變為第一階負偏壓,
其中所述第一延時電路配置為使所述第一傳輸電路的反饋信號和所述第一電壓抬升信號之間具有第一預定延時。
2.根據權利要求1所述的負升壓電路,其特征在于,所述第一抬升電路包括第一抬升電容,所述第一抬升電容第一端與所述第一升壓節點連接,第二端與所述第一電壓抬升信號連接,
所述第一延時電路配置為在所述第一傳輸晶體管關斷之后使所述第一電壓抬升信號由高電平轉變為低電平,以使所述第一升壓節點的電壓轉變為第一階負偏壓。
3.根據權利要求2所述的負升壓電路,其特征在于,所述第一延時電路包括第一反相器、第二反相器、或非門和第三反相器,其中所述第一反相器輸入端與所述第一電壓反饋節點連接,輸出端與所述第二反相器的輸入端連接,所述第二反相器的輸出端與所述或非門的第一輸入端連接,所述或非門的第二輸入端與所述第一抬升使能信號連接,所述或非門的輸出端與所述第三反相器的輸入端連接,所述第三反相器的輸出端輸出所述第一電壓抬升信號。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的負升壓電路,其特征在于,還包括:
第二傳輸電路,所述第二傳輸電路配置為將所述第一升壓節點的信號傳輸至第二升壓節點;
第二延時電路,所述第二延時電路配置為基于所述第二傳輸電路的反饋信號和第二抬升使能信號生成第二電壓抬升信號;
第二電壓抬升電路,所述第二電壓抬升電路配置為基于所述第二電壓抬升信號將所述第二升壓節點的電壓由所述第一階負偏壓轉變為第二階負偏壓,
其中,所述第二延時電路配置為使所述第二傳輸電路的反饋信號和所述第二電壓抬升信號之間具有第二預定延時。
5.根據權利要求4所述的負升壓電路,其特征在于,所述第二傳輸電路包括第二傳輸晶體管、第三開關晶體管、第四開關晶體管、第二電壓反饋節點和第三電壓反饋節點,
所述第二傳輸晶體管的源端與所述第一升壓節點連接,所述第二傳輸晶體管的漏端與第二升壓節點連接,所述第二傳輸晶體管的柵端與所述第二電壓反饋節點連接,
所述第三開關晶體管的源端與所述第一升壓節點連接,所述第三開關晶體管的漏端與所述第三電壓反饋節點連接,所述第三開關晶體管的柵端與第二傳輸使能信號連接,
所述第四開關晶體管的源端與所述第二電壓反饋節點連接,所述第四開關晶體管的漏端與所述第二升壓節點連接,所述第四開關晶體管的柵端與所述第三電壓反饋節點連接,
所述第二傳輸使能信號配置為使所述第二傳輸晶體管關斷。
6.根據權利要求5所述的負升壓電路,其特征在于,所述第二傳輸電路還包括第五開關晶體管和第六開關晶體管,
所述第五開關晶體管的源端與工作電源連接,所述第五開關晶體管的漏端與所述第三電壓反饋節點連接,所述第五開關晶體管的柵端與所述第二傳輸使能信號連接,
所述第六開關晶體管的源端與工作電源連接,所述第六開關晶體管的漏端與所述第二電壓反饋節點連接,所述第六開關晶體管的柵端與第三傳輸使能信號連接,
所述第二傳輸使能信號和所述第三傳輸使能信號電平相反。
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