[發明專利]疊層片式功率分配模塊及其制造方法

有效

• 申請號: 201610401782.9
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN107039732B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 徐鵬飛;王海;黃寒寒;朱建華;劉季超;張華良;王智會
• 申請（專利權）人: 深圳振華富電子有限公司;中國振華（集團）科技股份有限公司
• 主分類號: H01P5/16
• 分類號: H01P5/16;H01P11/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李艷麗

1.疊層片式功率分配模塊，其特征在于，包括輸入電極、輸出電極、上蓋、下蓋以及位于所述上蓋和下蓋之間的中間層，所述中間層包括疊層設置的旁路電容內電極、功率分配線圈以及耦合電容內電極，所述功率分配線圈的數量至少為兩個且相互并聯；所述旁路電容內電極的一端連接所述功率分配線圈的公共端，另一端接地；所述功率分配線圈的公共端連接所述輸入電極，每個所述功率分配線圈的非公共端連接一所述輸出電極；每兩個并聯的所述功率分配線圈的非公共端之間連接一所述耦合電容內電極以及與其并聯的隔離電阻，所述隔離電阻設置于所述上蓋的外表面且兩端與所述輸出電極連接；

所述旁路電容內電極、功率分配線圈以及耦合電容內電極均由介質層承載，部分所述介質層開設有用于將其上方和下方的電路導通的導電通孔；

所述旁路電容內電極由第一介質層承載，所述第一介質層包括分別承載所述旁路電容內電極的旁路電容上電極和旁路電容下電極的兩個第一子介質層；所述功率分配線圈由第二介質層承載，所述第二介質層包括分別承載所述功率分配線圈的每圈導線的若干個第二子介質層，不同的第二子介質層上的導線通過所述第二子介質層的導電通孔電性連接形成一功率分配線圈；所述耦合電容內電極由第三介質層承載，所述第三介質層包括分別承載所述耦合電容內電極的耦合電容上電極和耦合電容下電極的兩個第三子介質層，在所述第一介質層和第二介質層之間還設置第一中間介質層，在所述二介質層和第三介質層之間還設置第二中間介質層，在兩個第三子介質層和第二中間介質層上各設有一第一導電通孔，該第一導電通孔將一個功率分配線圈的非公共端與耦合電容上電極連通，在承載耦合電容下電極的第三子介質層和第二中間介質層上各設有一第二導電通孔，該第二導電通孔將另一個功率分配線圈的非公共端與耦合電容下電極連通，在第一中間介質層和承載旁路電容上電極的第一子介質層上分別設置一第三導電通孔，該第三導電通孔將旁路電容上電極和功率分配線圈的公共端連接。

2.如權利要求1所述的疊層片式功率分配模塊，其特征在于，所述輸入電極和輸出電極設置于所述上蓋、下蓋和中間層的側面，或者設置于所述上蓋、下蓋和中間層的側面并向所述上蓋的上表面和下蓋的下表面延伸。

3.如權利要求1所述的疊層片式功率分配模塊，其特征在于，所述介質層為微波陶瓷介質層。

4.如權利要求1所述的疊層片式功率分配模塊，其特征在于，還包括接地電極，設置于所述上蓋、下蓋及中間層的側面，或設置于所述上蓋、下蓋和中間層的側面并向所述上蓋的上表面和下蓋的下表面延伸，或設置于所述下蓋的底部，所述旁路電容內電極的一端連接所述接地電極。