[發(fā)明專利]一種控制晶圓排隊等待時間的方法和系統

有效

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• 申請日: 2016-06-07
• 公開（公告）號: CN107481963B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設計）人: 王辛;王倫國;何家筠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/67;G05B19/00
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 董巍;高偉

本發(fā)明提供一種控制晶圓排隊等待時間的方法和系統，所述方法包括：排隊等待時間起點測量步驟，其中包括在第一制造工藝中測量至少一個晶圓執(zhí)行完所述第一制造工藝的第一時間節(jié)點；排隊等待時間終點測量步驟，其中包括在所述第一制造工藝之后執(zhí)行的第二制造工藝中測量所述至少一個晶圓開始執(zhí)行所述第二制造工藝的第二時間節(jié)點；以及根據所述第一時間節(jié)點和所述第二時間節(jié)點確定所述至少一個晶圓的排隊等待時間。本發(fā)明的控制排隊等待時間的方法以晶圓作為計算的基本單位，因此可以避免由于Δ因子1，Δ因子2所引入的排隊等待時間計算誤差，避免產品超過排隊等待時間沒有被系統抓住，也同時可以預防沒有超過排隊等待時間的產品被系統誤抓的兩種風險。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種控制晶圓排隊等待時間的方法和裝置。

背景技術

隨著半導體工藝發(fā)展到小于65nm工藝以下，排隊等待時間(Queue time，又稱Q-time)控制變得越來越重要。排隊等待時間是指晶圓產品從Q-time控制起始站點(Step)到結束站點之間的等待時間。

越來越多的排隊等待時間控制步驟被加到生產流程中來。以一條28nm先進工藝為例，大于85％的工藝步驟都被限制在Q-time控制步驟中。如果超出排隊等待時間控制的最大時數，晶圓表面特性會發(fā)生變化,比如氧化，鈍化，殘留物聚集等，造成質量下降的風險。排隊等待時間控制給40nm工藝后的制造廠商的質量管控及生產管控帶了巨大挑戰(zhàn)。傳統的基于批級(Lot level)的排隊等待時間控制方法已經無法適應這種挑戰(zhàn)。

因此，有必要提出一種新的控制晶圓排隊等待時間的方法，以解決現有的技術問題。

發(fā)明內容

在發(fā)明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了克服目前存在的問題，本發(fā)明一方面提供一種控制晶圓排隊等待時間的方法，包括：

排隊等待時間起點測量步驟，其中包括在第一制造工藝中測量至少一個晶圓執(zhí)行完所述第一制造工藝的第一時間節(jié)點；

排隊等待時間終點測量步驟，其中包括在所述第一制造工藝之后執(zhí)行的第二制造工藝中測量所述至少一個晶圓開始執(zhí)行所述第二制造工藝的第二時間節(jié)點；以及

根據所述第一時間節(jié)點和所述第二時間節(jié)點確定所述至少一個晶圓的排隊等待時間。

示例性地，所述至少一個晶圓的排隊等待時間為所述第二時間節(jié)點與所述第一時間節(jié)點的差。

示例性地，所述晶圓為同一批的多個晶圓，該批晶圓的排隊等待時間為所述多個晶圓的排隊等待時間中的最小值。

示例性地，所述方法用于控制單個晶圓至單個晶圓的運行。

示例性地，所述方法用于控制行批量晶圓至批量晶圓的運行。

示例性地，所述方法用于控制單個晶圓至批量晶圓的運行。

示例性地，所述方法用于控制批量晶圓至單個晶圓的運行。

本發(fā)明另一方面提供一種控制晶圓排隊等待時間的系統，包括：

排隊等待時間起點測量單元，用于在第一制造工藝中測量至少一個晶圓執(zhí)行完所述第一制造工藝的第一時間節(jié)點；

排隊等待時間終點測量單元，用于在所述第一制造工藝之后執(zhí)行的第二制造工藝中測量所述至少一個晶圓開始執(zhí)行所述第二制造工藝的第二時間節(jié)點；以及

控制單元，用于根據所述第一時間節(jié)點和所述第二時間節(jié)點確定所述至少一個晶圓的排隊等待時間并實現對晶圓排隊等待時間的控制。