[發(fā)明專利]一種Sn@C@g?C3N4納米復(fù)合物及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610397220.1 | 申請日： | 2016-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN106077688B | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉先國;趙成云;陳浩;孫玉萍 | 申請（專利權(quán)）人： | 安徽工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | B22F9/14 | 分類號： | B22F9/14;B22F1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務(wù)所32207 | 代理人： | 蔣海軍 |
| 地址： | 243002 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 sn sub 納米 復(fù)合物 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種Sn@C@g-C3N4納米復(fù)合物，其特征在于，該納米復(fù)合物微觀結(jié)構(gòu)為Sn@C核殼結(jié)構(gòu)納米膠囊嵌入g-C3N4納米片中；該納米膠囊的粒徑為5～100nm；
該納米復(fù)合物是利用等離子體電弧放電技術(shù)，在工作氣體下原位制備得到；其中：
采用石墨電極為陰極，錫-三聚氰胺粉末塊體為陽極靶材，陰極與陽極靶材之間保持2～30mm的距離；電弧放電的電壓為10～40V；所述工作氣體為氬氣和甲烷氣體；所述陽極靶材中錫所占的質(zhì)量百分比為70～90％；所述氬氣的分壓為0.01～0.5MPa,甲烷氣體的分壓為0.01～0.3MPa。
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