[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610392648.7
• 申請日: 2016-06-03
• 公開（公告）號: CN107464782A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊曉芳;王鷁奇;蔡建祥
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有多個隔離結(jié)構(gòu)；

在所述隔離結(jié)構(gòu)之間限定的半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；

在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)壁結(jié)構(gòu)；

沉積內(nèi)連層，覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)、所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)、所述隔離結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體襯底；

圖案化所述內(nèi)連層，露出所述柵極結(jié)構(gòu)，通過所述內(nèi)連層將源極和漏極延伸至鄰近的所述隔離結(jié)構(gòu)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為體硅襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括自下而上層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述源極和漏極的特征尺寸取決于所述柵極結(jié)構(gòu)之間的最小特征尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述隔離結(jié)構(gòu)之前，還包括在所述半導(dǎo)體襯底中形成深N阱的步驟，在形成所述隔離結(jié)構(gòu)之后，還包括在所述隔離結(jié)構(gòu)之間限定的半導(dǎo)體襯底中形成P阱的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述內(nèi)連層的材料包括多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述側(cè)壁結(jié)構(gòu)之前，還包括以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，實(shí)施LDD注入的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在圖案化所述內(nèi)連層之后，還包括實(shí)施離子注入形成源極和漏極的步驟。

9.一種采用權(quán)利要求1-8之一所述的方法制造的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為射頻收發(fā)開關(guān)。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件。