[發明專利]高速預充電敏感放大器電路、快速讀取電路及電子裝置

有效

• 申請號: 201610392505.6
• 申請日: 2016-06-03
• 公開（公告）號: CN107464580B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 陳永耀;殷常偉;郁紅;倪昊
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G11C7/08
• 分類號: G11C7/08;G11C13/00;G11C16/26
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種用于非易失性存儲器的高速預充電敏感放大器電路，其特征在于，包括：

自動預充電模塊，其基于由電阻和多個MOS器件構成的反饋回路實現對所述非易失性存儲器的位線的快速預充電，所述反饋回路包括電阻、第一PMOS器件、第二PMOS器件和第三PMOS器件，其中所述位線的電壓信號輸入至第一PMOS器件的柵極，并通過所述第一PMOS器件放大至所述電阻的兩端，所述電阻兩端的電壓信號分別輸入至所述第二PMOS器件和所述第三PMOS器件的柵極并通過所述第二PMOS器件和所述第三PMOS器件的源極反饋至所述位線；以及

信號放大器模塊，所述信號放大器模塊的輸入端連接至所述自動預充電模塊的輸出端，并且對所述位線的電壓信號進行放大。

2.如權利要求1所述的高速預充電敏感放大器電路，其特征在于，所述自動預充電模塊包括由所述電阻、所述第一PMOS器件，所述第二PMOS器件以及第四NMOS器件構成的自動預充電電路，其中所述第四NMOS器件的漏極連接至所述電阻的第一端，所述電阻的第二端同時連接至所述第一PMOS器件的漏極和所述第二PMOS器件的柵極，并且所述第二PMOS器件的源極連接至第一PMOS器件的柵極；所述自動預充電電路通過所述第二PMOS器件的源極連接至所述位線，以控制對所述位線的快速預充電。

3.如權利要求2所述的高速預充電敏感放大器電路，其特征在于，所述自動預充電電路包括由所述第一PMOS器件構成的共源放大器，其將所述位線的電壓信號放大并反饋至所述第二PMOS器件的柵極以控制所述第二PMOS器件的狀態。

4.如權利要求1所述的高速預充電敏感放大器電路，其特征在于，所述信號放大器模塊為第三PMOS器件，所述第三PMOS器件的源極連接至所述位線，柵極連接至所述電阻的第一端，并且通過其漏極輸出經放大的所述位線的電壓信號。

5.一種用于非易失性存儲器的快速讀取電路，其特征在于，包括：

高速預充電敏感放大器電路，其包括：

自動預充電模塊，其基于由電阻和多個MOS器件構成的反饋回路實現對所述非易失性存儲器的位線的快速預充電，所述反饋回路包括電阻、第一PMOS器件、第二PMOS器件和第三PMOS器件，其中所述位線的電壓信號輸入至第一PMOS器件的柵極，并通過所述第一PMOS器件放大至所述電阻的兩端，所述電阻兩端的電壓信號分別輸入至所述第二PMOS器件和所述第三PMOS器件的柵極并通過所述第二PMOS器件和所述第三PMOS器件的源極反饋至所述位線；以及

信號放大器模塊，所述信號放大器模塊的輸入端連接至所述自動預充電模塊的輸出端，并且對所述位線的電壓信號進行放大；

參考電壓模塊，其生成用于與所述高速預充電敏感放大器電路的輸出電壓信號進行比較的參考電壓信號；以及

比較電路模塊，其將所述高速預充電敏感放大器電路的輸出電壓信號與所述參考電壓信號進行比較以得到所述快速讀取電路的輸出結果。

6.如權利要求5所述的快速讀取電路，其特征在于，所述自動預充電模塊包括由所述電阻、所述第一PMOS器件，所述第二PMOS器件以及第四NMOS器件構成的自動預充電電路，其中所述第四NMOS器件的漏極連接至所述電阻的第一端，所述電阻的第二端同時連接至所述第一PMOS器件的漏極和所述第二PMOS器件的柵極，并且所述第二PMOS器件的源極連接至第一PMOS器件的柵極；所述自動預充電電路通過所述第二PMOS器件的源極連接至所述位線，以控制對所述位線的快速預充電。

7.如權利要求6所述的快速讀取電路，其特征在于，所述自動預充電電路包括由所述第一PMOS器件構成的共源放大器，其將所述位線的電壓信號放大并反饋至所述第二PMOS器件的柵極以控制所述第二PMOS器件的狀態。

8.如權利要求5所述的快速讀取電路，其特征在于，其特征在于，所述信號放大器模塊為第三PMOS器件，所述第三PMOS器件的源極連接至所述位線，柵極連接至所述電阻的第一端，并且通過其漏極輸出經放大的所述位線的電壓信號。