[發明專利]一種場效應管MOS器件

在審

• 申請號: 201610391408.5
• 申請日: 2016-06-06
• 公開（公告）號: CN107464845A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 杜蕾
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,安利霞

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別涉及一種場效應管MOS器件。

背景技術

對于場效應管(MOS)的電源管理芯片，通常需要具備能耐高壓的高壓器件且開啟較低的低壓器件，高壓器件用于電源輸入，低壓器件用于運算邏輯。且高壓器件不僅僅是要漏極能耐高壓，柵極也需要耐高壓；柵極耐壓通常通過提升柵氧厚度來實現，但是在實際應用的過程中，當柵極接入高電壓后，傳統器件的場氧寄生器件也會被導通，導致器件電流會突然變大，進而影響預期功能。

發明內容

本發明提供了一種場效應管MOS器件，其目的是為了解決MOS器件的柵極接入高電壓后，場氧寄生器件被導通，影響預期功能的問題。

為了達到上述目的，本發明的實施例提供了一種場效應管MOS器件，包括：

P型襯底、設置于P型襯底上的第一P阱區和多晶硅層，其中多晶硅層形成為沿第一方向的第一中心線相對稱的結構；

相對于第一中心線，多晶硅層包括位于第一中心線兩側的第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二部分之間的第三部分，其中第一部分覆蓋于第一場氧層上，第二部分覆蓋于第二場氧層上；第三部分與P型襯底之間形成第一柵氧層；

該MOS器件還包括：

分別設置于多晶硅層兩側且關于第一中心線對稱分布、位于P型襯底上的第一N阱區和第二N阱區，其中第一場氧層位于第一N阱區上，第二場氧層 位于第二N阱區上；

關于第一中心線對稱分布的第一N型重摻雜區域、第二N型重摻雜區域，第一N型重摻雜區域位于第一N阱區內并與第一場氧層連接，第二N型重摻雜區域位于第二N阱區內并與第二場氧層連接。

優選地，多晶硅層還形成為沿與第一方向垂直的第二方向的第二中心線相對稱的結構；

相對于第二中心線，多晶硅層包括：

位于第二中心線兩側的第四部分、第五部分以及位于第四部分和第五部分之間的第六部分，第四部分覆蓋于第三場氧層上，第五部分覆蓋于第四場氧層上；第六部分與P型襯底之間形成第二柵氧層；

該MOS器件還包括：

分別設置于多晶硅層兩側且關于第二中心線對稱分布、位于P型襯底上的第三N阱區、第四N阱區，第三場氧層位于第三N阱區上，第四場氧層位于第四N阱區上；

關于第二中心線對稱分布的第三N型重摻雜區域、第四N型重摻雜區域，第三N型重摻雜區域位于第三N阱區內并與第三場氧層連接，第四N型重摻雜區域位于第四N阱區內并與第三場氧層連接。

優選地，該MOS器件還包括：

與第一N型重摻雜區域相連的第五場氧層，第五場氧層的中心線與第一N阱區的第一端邊界重合，第一N阱區的第一端為遠離第一中心線的一端；

與第二N型重摻雜區域相連的第六場氧層，第六場氧層的中心線與第二N阱區的第一端邊界重合，第二N阱區的第一端為遠離第一中心線的一端。

優選地，第一場氧層距第一N阱區的第二端的邊界的距離為第一預設數值，第一N阱區的第二端為靠近第一中心線的一端；

第二場氧層距第二N阱區的第二端的邊界的距離為第一預設數值，第二N阱區的第二端為靠近第一中心線的一端。

優選地，該MOS器件還包括：

設置于第五場氧層遠離第一中心線一側的第一P型重摻雜區域；

以及設置于第六場氧層遠離第一中心線一側的第二P型重摻雜區域；

且第一P型重摻雜區域和第二P型重摻雜區域分別相對于第一中心線對稱分布。

優選地，第一場氧層、第二場氧層的厚度均為6000埃。

優選地，多晶硅層的厚度為2000～3000埃。

優選地，第一柵氧層的厚度為800～1000埃。

優選地，第一預設數值的取值范圍在0.6微米～1微米之間。

優選地，第一部分、第二部分的沿與第一方向垂直的方向上的寬度均為第二預設數值，第一場氧層、第二場氧層的寬度均為第三預設數值；其中，

第二預設數值與第三預設數值的比值為3：5。

本發明的上述方案至少包括以下有益效果：

本發明的實施例提供的MOS器件，多晶硅層與場氧層重合的結構只存在N阱區上，而不存在P阱區之上，因此消除了寄生場管器件的產生，且溝道區域的P阱區只存在于第一柵氧層之下，而不存在于場氧之下，避免寄生場管器件開啟的現象發生，進而提升MOS器件工作時的穩定性，解決了當柵極接入高電壓后，傳統器件的場氧寄生器件也會被導通，導致器件電流會突然變大，進而影響預期功能的問題。

附圖說明