[發明專利]一種場效應管MOS器件

在審

• 申請號: 201610391408.5
• 申請日: 2016-06-06
• 公開（公告）號: CN107464845A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 杜蕾
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,安利霞

1.一種場效應管MOS器件，其特征在于，包括：

P型襯底、設置于所述P型襯底上的第一P阱區和多晶硅層，其中所述多晶硅層形成為沿第一方向的第一中心線相對稱的結構；

相對于所述第一中心線，所述多晶硅層包括位于所述第一中心線兩側的第一部分、第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之間的第三部分，其中所述第一部分覆蓋于第一場氧層上，所述第二部分覆蓋于第二場氧層上；所述第三部分與所述P型襯底之間形成第一柵氧層；

所述MOS器件還包括：

分別設置于所述多晶硅層兩側且關于所述第一中心線對稱分布、位于所述P型襯底上的第一N阱區和第二N阱區，其中所述第一場氧層位于第一N阱區上，所述第二場氧層位于所述第二N阱區上；

關于所述第一中心線對稱分布的第一N型重摻雜區域、第二N型重摻雜區域，所述第一N型重摻雜區域位于所述第一N阱區內并與所述第一場氧層連接，所述第二N型重摻雜區域位于所述第二N阱區內并與所述第二場氧層連接。

2.根據權利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述多晶硅層還形成為沿與所述第一方向垂直的第二方向的第二中心線相對稱的結構；

相對于所述第二中心線，所述多晶硅層包括：

位于所述第二中心線兩側的第四部分、第五部分以及位于所述第四部分和所述第五部分之間的第六部分，所述第四部分覆蓋于第三場氧層上，所述第五部分覆蓋于第四場氧層上；所述第六部分與所述P型襯底之間形成第二柵氧層；

所述MOS器件還包括：

分別設置于所述多晶硅層兩側且關于所述第二中心線對稱分布、位于P型襯底上的第三N阱區、第四N阱區，所述第三場氧層位于第三N阱區上，所述第四場氧層位于所述第四N阱區上；

關于所述第二中心線對稱分布的第三N型重摻雜區域、第四N型重摻雜區域，所述第三N型重摻雜區域位于所述第三N阱區內并與所述第三場氧層 連接，所述第四N型重摻雜區域位于所述第四N阱區內并與所述第三場氧層連接。

3.根據權利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件還包括：

與所述第一N型重摻雜區域相連的第五場氧層，所述第五場氧層的中心線與所述第一N阱區的第一端邊界重合，所述第一N阱區的第一端為遠離所述第一中心線的一端；

與所述第二N型重摻雜區域相連的第六場氧層，所述第六場氧層的中心線與所述第二N阱區的第一端邊界重合，所述第二N阱區的第一端為遠離所述第一中心線的一端。

4.根據權利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述第一場氧層距所述第一N阱區的第二端的邊界的距離為第一預設數值，所述第一N阱區的第二端為靠近所述第一中心線的一端；

所述第二場氧層距所述第二N阱區的第二端的邊界的距離為所述第一預設數值，所述第二N阱區的第二端為靠近所述第一中心線的一端。

5.根據權利要求3所述的MOS器件，其特征在于，所述MOS器件還包括：

設置于所述第五場氧層遠離所述第一中心線一側的第一P型重摻雜區域；

以及設置于所述第六場氧層遠離所述第一中心線一側的第二P型重摻雜區域；

且所述第一P型重摻雜區域和所述第二P型重摻雜區域分別相對于所述第一中心線對稱分布。

6.根據權利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述第一場氧層、第二場氧層的厚度均為6000埃。

7.根據權利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為2000～3000埃。

8.根據權利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述第一柵氧層的厚度為800～1000埃。

9.根據權利要求4所述的MOS器件，其特征在于，所述第一預設數值 的取值范圍在0.6微米～1微米之間。

10.根據權利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述第一部分、第二部分的沿與所述第一方向垂直的方向上的寬度均為第二預設數值，所述第一場氧層、第二場氧層的寬度均為第三預設數值；其中，

所述第二預設數值與所述第三預設數值的比值為3：5。