[發明專利]一種金屬掩膜及其制備方法在審

申請號：	201610373550.7	申請日：	2016-05-31
公開（公告）號：	CN107447190A	公開（公告）日：	2017-12-08
發明（設計）人：	高志豪	申請（專利權）人：	上海和輝光電有限公司
主分類號：	C23C14/04	分類號：	C23C14/04;G03F7/00;H01L21/027;H01L27/32
代理公司：	上海隆天律師事務所31282	代理人：	臧云霄,李峰
地址：	201506 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種金屬及其制備方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及OLED制造技術領域，具體涉及一種金屬掩膜及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件(OLED)具有功耗低、輕便、亮度高、視野寬和反應快等諸多優點，并且能夠實現柔性顯示，已經廣泛應用于智能手機、平板電腦等智能終端中。

現有的OLED顯示面板為層狀結構，每層通過蒸鍍的方式制備。在制造工藝流程中需要制備若干共通層(Common Layer)，其相應需要使用若干共用金屬掩膜(曝光光罩)(Common Metal Mask，以下簡稱CMM)作為蒸鍍的金屬掩膜。

如圖1所示，現有的OLED顯示面板(Panel)為層狀結構，每層通過蒸鍍的方式制備。一般而言，對于每一層需要蒸鍍的結構，都需要利用一個相應的金屬掩膜進行蒸鍍。但是，在OLED結構中，存在一些結構類似的層，其蒸鍍所需要的金屬掩膜也都相同，這些可以利用相同的金屬掩膜蒸鍍制備的層即為共通層(Common Layer)。在制造工藝流程中往往需要制備若干共通層，其相應需要使用若干共用金屬掩膜(曝光光罩)(Common Metal Mask，以下簡稱CMM)作為蒸鍍的金屬掩膜。例如圖1中所示，圖中HIL1層12、HIL2-1層13、HIL3層15、電洞傳輸層16、電子傳輸層18以及光導出層20即為共通層。一般OLED工藝流程中Common Layer共有6層，需要使用6道CMM光罩。

目前，現有技術制造工藝為將金屬掩膜以整個顯示面板(Panel)開口方式蝕刻，由于開口相對較大，會因水池效應而造成蝕刻液因大面積蝕刻及流動性差所造成的蝕刻液濃度均一性差，進而造成邊緣蝕刻尺寸均一性不佳，讓產品不合規格。參照圖2至圖5，其示出了現有技術中制備金屬掩膜的工藝流程及結構。如圖2所示，在掩膜底板21上涂布感光光阻22并對與所要制備的顯示面板尺寸相適應的顯示面板圖案23區域進行曝光。如圖3所示，對前述曝光后的掩膜底板21進行顯影制程，從而去除顯示面板圖案23區域的感光光阻22，使得該部分掩膜底板21露出，形成顯影后顯示面板孔31。如圖4所示，對前述掩膜底板21進行蝕刻，將掩膜底板21的暴露部分蝕刻掉部分，形成顯示面板預備孔31’。將該掩膜底板21翻面，重復曝光、顯影、蝕刻制程，即可得到具有與所需制備顯示面板尺寸相適應的通孔的金屬掩膜。在OLED顯示面板的制備工藝中，因原Common Layer金屬掩膜在制造時會面臨蝕刻面積大所造成的開口邊緣不平整的問題，容易造成OLED工藝流程的異常，導致制造出的金屬掩膜開口邊緣不平整，開口精度不高。此外，由于在金屬掩膜的這種制備工藝中，蝕刻是行進式工藝，因此掩膜板上對應整個顯示面板開口的金屬掉落會刮傷后面的掩膜底板，或造成掩膜底板在基臺中被卡住。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本發明的目的在于提供一種金屬掩膜及一種金屬掩膜的制備方法，減少因為蝕刻面積大而造成的蝕刻液濃度不均所產生的邊緣蝕刻尺寸均一性不佳的問題，防止蝕刻工藝中金屬掉落。

為達到上述目的，本發明提供一種金屬掩膜，其特征在于，包括：

環狀通孔；

內部非開孔區，其位于所述環狀通孔內部；

外圍非開孔區，其位于所述環狀通孔外部；

橋接區，其連接所述內部非開孔區與所述外圍非開孔區。

優選地，多個所述環狀通孔圍成矩形。

優選地，所述內部非開孔區為中央開孔區。

優選地，所述橋接區位于相鄰兩個所述環狀通孔之間。

優選地，所述環狀通孔為半圓形，所述橋接區位于所述環狀通孔的兩端之間。

優選地，所述橋接區的厚度小于或等于掩膜厚度。