[發(fā)明專利]一種金屬掩膜及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201610373550.7
• 申請日: 2016-05-31
• 公開（公告）號: CN107447190A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設計）人: 高志豪
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;G03F7/00;H01L21/027;H01L27/32
• 代理公司: 上海隆天律師事務所31282
• 代理人: 臧云霄,李峰

1.一種金屬掩膜，其特征在于，包括：

環(huán)狀通孔；

內部非開孔區(qū)，其位于所述環(huán)狀通孔內部；

外圍非開孔區(qū)，其位于所述環(huán)狀通孔外部；

橋接區(qū)，其連接所述內部非開孔區(qū)與所述外圍非開孔區(qū)。

2.根據(jù)權利要求1所述的金屬掩膜，其特征在于，多個所述環(huán)狀通孔圍成矩形。

3.根據(jù)權利要求2所述的金屬掩膜，其特征在于，所述內部非開孔區(qū)為中央開孔區(qū)。

4.根據(jù)權利要求2所述的金屬掩膜，其特征在于，所述橋接區(qū)位于相鄰兩個所述環(huán)狀通孔之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的金屬掩膜，其特征在于，所述環(huán)狀通孔為半圓形，所述橋接區(qū)位于所述環(huán)狀通孔的兩端之間。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的金屬掩膜，其特征在于，所述橋接區(qū)的厚度小于或等于掩膜厚度。

7.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的金屬掩膜，其特征在于，所述環(huán)狀通孔的寬度大于所述掩膜的蝕刻厚度。

8.一種金屬掩膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)提供一掩膜底板，其具有第一面及與其相對的第二面，至少在第一面上涂布感光光阻；

(2)曝光定義環(huán)狀區(qū)域，并預留橋接區(qū)，經過顯影、蝕刻形成環(huán)狀通孔，其中所述環(huán)狀通孔的內部是內部非開孔區(qū)，所述環(huán)狀通孔的外部是外圍非開孔區(qū)，所述橋接區(qū)連接所述內部非開孔區(qū)與所述外圍非開孔區(qū)；

(3)切除所述橋接區(qū)。

9.根據(jù)權利要求8所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)采用雙面分別半蝕刻的工藝。

10.根據(jù)權利要求9所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，在所述掩膜底板的第一面經過半蝕刻之后，先在所述第一面上涂布防蝕刻保護層，再在所述掩膜底板的第二面上進行半蝕刻工藝。

11.根據(jù)權利要求8所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中定義的環(huán)狀區(qū)域為矩形或半圓形。

12.根據(jù)權利要求8至11中任一項所述的金屬掩膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中切除橋接區(qū)的方式為利用激光切割。