[發(fā)明專利]半導體用高純碳化硅微粉的提純方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610370116.3 | 申請日： | 2016-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN105948055B | 公開（公告）日： | 2017-12-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 郝文虎;龔志剛;周強;馬光明;韓宇;劉文兵 | 申請（專利權(quán)）人： | 山田研磨材料有限公司 |
| 主分類號： | C01B32/956 | 分類號： | C01B32/956 |
| 代理公司： | 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司37212 | 代理人： | 董寶錁 |
| 地址： | 276700 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 高純 碳化硅 提純 方法 | ||
1.一種半導體用高純碳化硅微粉的提純方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)調(diào)漿：將研磨好的碳化硅微粉投入攪拌桶內(nèi)，加去離子水調(diào)節(jié)料漿濃度；
(2)酸洗：加入質(zhì)量分數(shù)為98％的硫酸；
(3)加溫攪拌：將加酸后的料漿加熱至40-80℃，在此溫度下攪拌5-10小時后陳腐8-15小時；
(4)加混合酸：在陳腐好的料漿中加入混合酸，混合酸與碳化硅微粉的質(zhì)量比為1:15-20；
(5)加溫攪拌：將加入混合酸后的料漿加熱至50-80℃，在此溫度下攪拌5-10小時，陳腐8-15小時；
(6)沖洗：將陳腐后的物料打入壓濾機內(nèi)用去離子水沖洗至pH值為5-6.5，即得所述的半導體用高純碳化硅微粉，純度大于99.9％；
步驟(1)所述的去離子水和碳化硅微粉的質(zhì)量比為2-3:1；
步驟(4)所述的混合酸是質(zhì)量分數(shù)為68％的硝酸和質(zhì)量分數(shù)為47％的氫氟酸按照2-3:1的質(zhì)量比混合而成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體用高純碳化硅微粉的提純方法，其特征在于：所述的去離子水電導率為5-30μs/cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體用高純碳化硅微粉的提純方法，其特征在于：步驟(2)所述的硫酸的加入量占碳化硅微粉質(zhì)量的2-8％。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體用高純碳化硅微粉的提純方法，其特征在于：步驟(2)所述的硫酸的加入量占碳化硅微粉質(zhì)量的5％。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體用高純碳化硅微粉的提純方法，其特征在于：步驟(3)所述的加溫攪拌過程中，將加酸后的料漿加熱至50-60℃。
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