[發(fā)明專利]從晶片揭除粘膜的方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610370074.3
• 申請日: 2016-05-30
• 公開（公告）號: CN107452664B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賀友華;馮奎;張有沐;王元立;朱頌義
• 申請（專利權(quán)）人: 北京通美晶體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 鐘守期;鄭建暉

本發(fā)明涉及一種從晶片揭除粘膜的方法，包括下列步驟：將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺，所述晶片支撐臺包括一個底座和一個容納晶片的傾斜支撐面；使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起；用一個壓片手柄將晶片按壓在晶片支撐臺上，同時，用鑷子將所述粘膜從所述晶片揭除；任選地，在“將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片的支撐臺”之后，“使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起”之前，對置于晶片的支撐臺的帶有粘膜的晶片作失粘處理。還涉及用于從晶片揭除粘膜的裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片領(lǐng)域，更具體而言，涉及從半導(dǎo)體晶片揭除粘膜的方法及裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，在襯底晶片制造(例如從生產(chǎn)的晶棒切出毛晶片后，需要對毛晶片實施磨邊、研磨和拋光等步驟)以及隨后的外延生長減薄加工及保存、運輸過程中，都有可能在晶片的一面或兩面貼上粘膜(即在塑料基膜上涂有膠粘劑而形成的粘膜，該粘膜照射光線后，膠粘劑失去粘性；常用的粘膜為紫外(UV)膜，該膜上施加的紫外膠經(jīng)照射紫外線后失去粘性。照射光線使膠粘劑失去粘性的過程稱為解膠或失粘過程)，但是這樣的膜最終需要從晶片揭除?，F(xiàn)有技術(shù)中，對帶膜晶片進行揭膜主要采用兩種方法：采用自動揭膜機揭膜和手工揭膜。采用自動揭膜機揭膜時，晶片表面與機械手接觸容易被污染，而且自動揭膜設(shè)備昂貴、效率較低且適用范圍窄，目前只適用于直徑在150mm以上、厚度在400μm以上的晶片。手工揭膜時，操作人員戴手套用手指橫跨晶片表面夾持晶片邊緣，容易殘留手套印，導(dǎo)致晶片出現(xiàn)邊緣污染，同時容易產(chǎn)生變形，影響晶片質(zhì)量，并且不適用于直徑較大的晶片。

因此，希望有更為簡單適用的從晶片揭除粘膜的方法及裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的以上缺點，提供一種揭膜技術(shù)，具體地，提供一種從晶片揭除粘膜的方法及裝置，包括但不限于半導(dǎo)體帶膜拋光后的揭膜和外延減薄處理后的晶片揭膜。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種從晶片揭除粘膜的方法，包括下列步驟：

將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺，所述晶片支撐臺包括一個底座和一個容納晶片的傾斜支撐面；

使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起；和

用一個壓片手柄將晶片按壓在晶片支撐臺上，同時，用鑷子將所述粘膜從所述晶片揭除；

任選地，在“將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺”之后，“使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起”之前，對置于晶片支撐臺的帶有粘膜的晶片作失粘處理。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供一種從晶片揭除粘膜的裝置，包括：

一個晶片支撐臺，用于支撐其上有粘膜的晶片，包括一個底座和一個容納晶片的傾斜支撐面；

一個刀片，用于將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起；

一個壓片手柄，用于將晶片按壓在晶片支撐臺上；以及

一個鑷子，用于將粘膜從晶片揭除；

任選地，一個處理設(shè)備，用于對置于晶片支撐臺的帶有粘膜的晶片作失粘處理。

本發(fā)明的從晶片揭除粘膜的方法及裝置可以保證在揭膜過程中，操作者的手不直接接觸晶片，防止晶片出現(xiàn)邊緣污染；且適用范圍廣，可以對任何尺寸和任何厚度的晶片進行無接觸式人工揭膜；方法簡單、操作方便，實現(xiàn)以低揭膜成本改善揭膜晶片的表面質(zhì)量。

附圖說明

圖1示出本發(fā)明的用于從晶片揭除粘膜的裝置的一個實施方案的立體圖。

具體實施方式