[發(fā)明專利]從晶片揭除粘膜的方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610370074.3 | 申請日: | 2016-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN107452664B | 公開(公告)日: | 2019-06-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 賀友華;馮奎;張有沐;王元立;朱頌義 | 申請(專利權)人: | 北京通美晶體技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產(chǎn)權代理有限公司 11285 | 代理人: | 鐘守期;鄭建暉 |
| 地址: | 101113 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 粘膜 方法 裝置 | ||
1.一種從晶片揭除粘膜的方法,包括下列步驟:
將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺,所述晶片支撐臺包括一個底座和一個容納晶片的傾斜支撐面;
使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起;和
用一個壓片手柄將晶片按壓在晶片支撐臺上,同時,用鑷子將所述粘膜從所述晶片揭除;
任選地,在“將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺”之后,“使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起”之前,對置于晶片支撐臺的帶有粘膜的晶片作失粘處理。
2.根據(jù)權利要求1所述的從晶片揭除粘膜的方法,其特征在于,所述晶片支撐臺為可升降的晶片支撐臺,包括一個升降設備,其中容納晶片的傾斜支撐面一端與底座樞軸連接,另一端與該升降設備相連,從而使容納晶片的傾斜支撐面可以與底座成不同的角度。
3.根據(jù)權利要求2所述的從晶片揭除粘膜的方法,其特征在于,在“將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺”的步驟中,帶有粘膜的晶片已經(jīng)經(jīng)過失粘處理;此時,不實施下列步驟:“任選地,在‘將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺’之后,‘使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起’之前,對置于晶片支撐臺的帶有粘膜的晶片作失粘處理”;或者
在“將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺”的步驟中,帶有粘膜的晶片是未經(jīng)過失粘處理的晶片;此時,在“將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺”之后,“使用刀片將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起”之前,對置于晶片支撐臺的帶有粘膜的晶片作失粘處理。
4.根據(jù)權利要求1-3之一所述的從晶片揭除粘膜的方法,其特征在于,晶片處于晶片盒內(nèi),直接將帶有晶片的晶片盒置于晶片支撐臺上。
5.根據(jù)權利要求1-3之一所述的從晶片揭除粘膜的方法,其特征在于,在“將其上帶有粘膜的晶片以傾斜狀態(tài)置于一個晶片支撐臺”步驟中,晶片與水平方向成5-45度角。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的從晶片揭除粘膜的方法,其特征在于在用壓片手柄將晶片按壓在晶片支撐臺上時,測量和顯示壓力手柄對晶片施加的壓力。
7.一種從晶片揭除粘膜的裝置,包括:
一個晶片支撐臺,用于支撐其上有粘膜的晶片,包括一個底座和一個容納晶片的傾斜支撐面;
一個刀片,用于將晶片上的粘膜從晶片邊緣揭起;
一個壓片手柄,用于將晶片按壓在晶片支撐臺上;以及
一個鑷子,用于將粘膜從晶片揭除;
任選地,一個處理設備,用于對置于晶片支撐臺的帶有粘膜的晶片作失粘處理。
8.根據(jù)權利要求7所述的從晶片揭除粘膜的裝置,其特征在于,所述晶片支撐臺還包括一個升降設備,其中容納晶片的傾斜支撐面一端與底座樞軸連接,另一端與該升降設備相連,從而使容納晶片的傾斜支撐面可以與底座成不同的角度。
9.根據(jù)權利要求7或8所述的從晶片揭除粘膜的裝置,其特征在于,所述處理設備為紫外燈、紅外燈或加熱設備。
10.根據(jù)權利要求8所述的從晶片揭除粘膜的裝置,其特征在于,所述晶片支撐臺包括的升降設備包括彎曲導軌和導桿結構。
11.根據(jù)權利要求7或8所述的從晶片揭除粘膜的裝置,其特征在于,所述容納晶片的傾斜支撐面的外緣處設有一個凹槽,使晶片厚度部分露出。
12.根據(jù)權利要求7或8所述的從晶片揭除粘膜的裝置,其特征在于,還包括真空吸附設備,用于移動晶片;真空吸附設備優(yōu)選具有扁平形狀的遠端(接觸晶片表面的一端)。
13.根據(jù)權利要求7或8所述的從晶片揭除粘膜的裝置,其特征在于,所述壓片手柄的遠端(接觸晶片壁面的一端)優(yōu)選是扁平形狀的,并且其遠端的周界以非直角的角度彎曲。
14.根據(jù)權利要求13所述的從晶片揭除粘膜的裝置,其特征在于,在所述壓片手柄的遠端的接觸晶片的部位處設置有測壓裝置,且在壓片手柄上設置有用于顯示所測壓力的顯示裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





