[發明專利]電子器件、薄膜晶體管、以及陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201610365811.0
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN105914134B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 王美麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 焦玉恒

技術領域

本發明的實施例涉及一種電子器件及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法、以及陣列基板及其制作方法。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱：TFT)是顯示領域常用的一種開關元件。通常，薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層、以及與有源層電連接的源電極和漏電極；其中，有源層通常由例如多晶硅、單晶硅、氧化物半導體等半導體材料制成。薄膜晶體管按照其柵極與有源層的相對位置關系可分為頂柵型薄膜晶體管和底柵型薄膜晶體管。

陣列基板是顯示裝置的重要組成部分。陣列基板通常包括顯示區和非顯示區，在顯示區中通常設置有呈矩陣排列的多個薄膜晶體管。每個薄膜晶體管可以用于控制陣列基板顯示區中的至少一個像素單元的顯示狀態。

發明內容

本發明至少一實施例提供一種電子器件及其制作方法、薄膜晶體管的制作方法、以及陣列基板及其制作方法。該電子器件的制作方法通過在金屬結構上形成不含氧元素的無氧絕緣層，從而保護金屬結構，防止金屬結構被氧化。

本發明至少一個實施例提供一種電子器件的制作方法，包括：在襯底基板上形成金屬結構；在所述金屬結構和所述襯底基板上形成無氧絕緣層；以及在所述無氧絕緣層上形成絕緣保護層。

例如，在本發明一實施例提供的電子器件的制作方法中，所述無氧絕緣層使用硅烷形成，所述電子器件的制作方法還包括：在所述金屬結構下方形成半導體；以及在形成所述無氧絕緣層的過程中，所述硅烷釋放出氫將所述半導體與所述無氧絕緣層接觸的部分導體化。

例如，本發明一實施例提供的電子器件的制作方法還包括：在所述絕緣保護層上形成導電結構，所述導電結構和所述金屬結構具有交疊的部分，所述無氧絕緣層的介電常數材料小于等于6。

例如，本發明一實施例提供的電子器件的制作方法還包括：在所述無氧絕緣層和所述絕緣保護層中形成過孔，用于暴露所述金屬結構，利用帶氧的刻蝕工藝對所述絕緣保護層進行刻蝕；利用無氧的刻蝕工藝對所述無氧絕緣層進行刻蝕，以形成所述過孔。

例如，在本發明一實施例提供的電子器件的制作方法中，在無氧的刻蝕工藝下，所述無氧絕緣層的刻蝕速率較所述絕緣保護層的刻蝕速率更快。

例如，在本發明一實施例提供的電子器件的制作方法中，所述金屬結構包括柵極、柵線、數據線、源極、漏極、公共電極線、公共電極中的至少一個；所述絕緣保護層包括層間介電層和鈍化層中的至少一個。

例如，在本發明一實施例提供的電子器件的制作方法中，所述金屬結構的材料包括銅，所述電子器件的制作方法還包括在所述金屬結構下方形成擴散阻擋層。

例如，在本發明一實施例提供的電子器件的制作方法中，所述無氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。

例如，在本發明一實施例提供的電子器件的制作方法中，所述無氧絕緣層的厚度小于絕緣保護層的厚度。

本發明至少一實施例提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括：在襯底基板上形成有源層，所述有源層具有源極區域、漏極區域以及位于所述源極區域、漏極區域之間的溝道區；在所述溝道區上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成柵極；在所述柵極和所述有源層上形成第一無氧絕緣層；以及在所述第一無氧絕緣層上形成層間介電層。

例如，在本發明一實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述第一無氧絕緣層使用硅烷形成，所述薄膜晶體管的制作方法還包括：在形成所述第一無氧絕緣層的同時，所述硅烷釋放出氫將所述有源層的所述源極區域和所述漏極區域導體化。

例如，本發明一實施例提供的薄膜晶體管的制作方法還包括：在所述層間介電層和所述第一無氧絕緣層中形成分別暴露所述源極區域、所述漏極區域的第一過孔；在所述層間介電層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別通過所述第一過孔與所述源極區域和所述漏極區域電性相連；在所述源極、所述漏極上形成第二無氧絕緣層；以及在所述第二無氧絕緣層上形成鈍化層。

例如，本發明一實施例提供的薄膜晶體管的制作方法還包括：在所述第二無氧絕緣層和所述鈍化層中形成暴露所述漏極的第二過孔，利用帶氧的刻蝕工藝對所述鈍化層進行刻蝕；利用無氧的刻蝕工藝對所述第二無氧絕緣保護層進行刻蝕。

例如，在本發明一實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，在無氧的刻蝕工藝下，所述第二無氧絕緣層的刻蝕速率較所述鈍化層的刻蝕速率更快。

例如，在本發明一實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述柵極、所述源極和所述漏極中至少之一包括銅。