[發(fā)明專利]電子器件、薄膜晶體管、以及陣列基板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610365811.0
• 申請(qǐng)日: 2016-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN105914134B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王美麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種電子器件的制作方法，包括：

在襯底基板上形成金屬結(jié)構(gòu)；

在所述金屬結(jié)構(gòu)和所述襯底基板上形成無氧絕緣層；以及

在所述無氧絕緣層上形成絕緣保護(hù)層，

其中，所述無氧絕緣層使用硅烷形成，所述電子器件的制作方法還包括：

在所述金屬結(jié)構(gòu)下方形成半導(dǎo)體；以及

在形成所述無氧絕緣層的過程中，所述硅烷釋放出氫將所述半導(dǎo)體與所述無氧絕緣層接觸的部分導(dǎo)體化。

2.如權(quán)利要求1所述的電子器件的制作方法，還包括：

在所述絕緣保護(hù)層上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述金屬結(jié)構(gòu)具有交疊的部分，所述無氧絕緣層的介電常數(shù)材料小于等于6。

3.如權(quán)利要求1所述的電子器件的制作方法，還包括：

在所述無氧絕緣層和所述絕緣保護(hù)層中形成過孔，用于暴露所述金屬結(jié)構(gòu)，其中，利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)所述絕緣保護(hù)層進(jìn)行刻蝕；利用無氧的刻蝕工藝對(duì)所述無氧絕緣層進(jìn)行刻蝕，以形成所述過孔。

4.如權(quán)利要求3所述的電子器件的制作方法，其中，在無氧的刻蝕工藝下，所述無氧絕緣層的刻蝕速率較所述絕緣保護(hù)層的刻蝕速率更快。

5.如權(quán)利要求1所述的電子器件的制作方法，其中，所述金屬結(jié)構(gòu)包括柵極、柵線、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、公共電極線、公共電極中的至少一個(gè)；所述絕緣保護(hù)層包括層間介電層和鈍化層中的至少一個(gè)。

6.如權(quán)利要求5所述的電子器件的制作方法，其中，所述金屬結(jié)構(gòu)的材料包括銅，所述電子器件的制作方法還包括：

在所述金屬結(jié)構(gòu)下方形成擴(kuò)散阻擋層。

7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子器件的制作方法，其中，所述無氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。

8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子器件的制作方法，其中，所述無氧絕緣層的厚度小于絕緣保護(hù)層的厚度。

9.一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

在襯底基板上形成有源層，所述有源層具有源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及位于所述源極區(qū)域、漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)；

在所述溝道區(qū)上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極；

在所述柵極和所述有源層上形成第一無氧絕緣層；以及

在所述第一無氧絕緣層上形成層間介電層，

其中，所述第一無氧絕緣層使用硅烷形成，所述薄膜晶體管的制作方法還包括：在形成所述第一無氧絕緣層的同時(shí)，所述硅烷釋放出氫將所述有源層的所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域?qū)w化。

10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，還包括：

在所述層間介電層和所述第一無氧絕緣層中形成分別暴露所述源極區(qū)域、所述漏極區(qū)域的第一過孔；

在所述層間介電層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別通過所述第一過孔與所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域電性相連；

在所述源極、所述漏極上形成第二無氧絕緣層；以及

在所述第二無氧絕緣層上形成鈍化層。

11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制作方法，還包括：

在所述第二無氧絕緣層和所述鈍化層中形成暴露所述漏極的第二過孔，其中，利用帶氧的刻蝕工藝對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕；利用無氧的刻蝕工藝對(duì)所述第二無氧絕緣保護(hù)層進(jìn)行刻蝕。

12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，在無氧的刻蝕工藝下，所述第二無氧絕緣層的刻蝕速率較所述鈍化層的刻蝕速率更快。

13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，所述柵極、所述源極和所述漏極中至少之一包括銅。

14.如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，所述第一無氧絕緣層或所述第二無氧絕緣層的材料包括SiNC或SiNF。

15.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管的制作方法，其中，所述第一無氧絕緣層和所述第二無氧絕緣層的材料相同。

16.一種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管，其中，采用如權(quán)利要求9-15任一項(xiàng)所述的方法制作所述薄膜晶體管。