[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610365196.3
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN107437533B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/10;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底自下至上依次包括第一深度區域、第二深度區域和第三深度區域；

對所述第二深度區域基底進行緩沖離子摻雜工藝，形成緩沖摻雜離子區；

去除所述第二深度區域和第三深度區域的部分基底，露出所述第一深度區域的基底，形成襯底以及凸出于所述襯底上的鰭部；

在所述鰭部之間的襯底上形成隔離結構，所述隔離結構的厚度與所述第二深度區域的深度相等，露出于所述隔離結構的鰭部作為鰭部第一區域，未露出的鰭部作為鰭部第二區域；

對所述鰭部第二區域進行防穿通離子摻雜工藝，形成位于所述緩沖摻雜離子區上的防穿通摻雜離子區，其中，所述防穿通摻雜離子區的離子類型與所述緩沖摻雜離子區的離子類型相同，且所述防穿通摻雜離子區的離子濃度大于所述緩沖摻雜離子區的離子濃度；

形成橫跨所述鰭部表面的柵極結構，所述柵極結構覆蓋所述鰭部第一區域的部分頂部和側壁；

在所述柵極結構兩側的鰭部第一區域內形成源漏摻雜區，所述源漏摻雜區的離子類型與所述防穿通摻雜離子區的離子類型相反，且所述源漏摻雜區的離子濃度大于所述防穿通摻雜離子區的離子濃度，使所述源漏摻雜區、防穿通摻雜離子區、緩沖摻雜離子區至所述襯底的離子濃度呈遞減趨勢。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構為P型結構，所述源漏摻雜區的離子類型為P型離子，所述防穿通摻雜離子區的離子類型為N型離子，所述緩沖摻雜離子區的離子類型為N型離子；

或者，所述半導體結構為N型結構，所述源漏摻雜區的離子類型為N型離子，所述防穿通摻雜離子區的離子類型為P型離子，所述緩沖摻雜離子區的離子類型為P型離子。

3.如權利要求2所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述防穿通摻雜離子區的離子類型為N型離子，所述緩沖摻雜離子區的離子類型為N型離子，所述N型離子包括磷離子、砷離子或銻離子；

或者，所述防穿通摻雜離子區的離子類型為P型離子，所述緩沖摻雜離子區的離子類型為P型離子，所述P型離子包括硼離子或銦離子。

4.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述防穿通離子摻雜工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量；

所述防穿通離子摻雜工藝注入的離子能量小于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子能量。

5.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述緩沖摻雜離子區的離子類型為N型離子，所述緩沖離子摻雜工藝的參數包括：注入的離子能量為30ev至120Kev，注入的離子劑量為1E12原子每平方厘米至2E14原子每平方厘米，注入角度為0度至15度；

或者，所述緩沖摻雜離子區的離子類型為P型離子，所述緩沖離子摻雜工藝的參數包括：注入的離子能量為10Kev至50Kev，注入的離子劑量為1E12原子每平方厘米至2E14原子每平方厘米，注入角度為0度至15度。

6.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述防穿通摻雜離子區的離子類型為N型離子，所述防穿通離子摻雜工藝的參數包括：

注入的離子能量為20Kev至80Kev，注入的離子劑量為5E12原子每平方厘米至8E13原子每平方厘米，注入角度為0度至15度；

或者，所述防穿通摻雜離子區的離子類型為P型離子，所述防穿通離子摻雜工藝的參數包括：注入的離子能量為5Kev至20Kev，注入的離子劑量為5E12原子每平方厘米至1E14原子每平方厘米，注入角度為0度至15度。

7.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，采用橫向擴散的離子摻雜方式，形成所述防穿通摻雜離子區。