[發(fā)明專利]LDMOS晶體管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610365140.8
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN107437563B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設計）人: 李勇;衛(wèi)承青
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種LDMOS晶體管，其特征在于，包括：

基底；

第一阱區(qū)，位于基底中，第一阱區(qū)摻雜有第一阱離子；

第二阱區(qū)，位于基底中，所述第二阱區(qū)位于第一阱區(qū)側部，第二阱區(qū)摻雜有第二阱離子，所述第二阱區(qū)包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域與第一阱區(qū)鄰接；

第一離子摻雜區(qū)，位于第一阱區(qū)和第一區(qū)域內，第一離子摻雜區(qū)中摻雜有第一離子，第一離子的類型與第一阱離子的類型相同且與第二阱離子的類型相反，所述第一離子摻雜區(qū)還摻雜有第二離子，所述第二離子為碳離子或者氟離子；

柵極結構，位于部分第一阱區(qū)和至少部分第一區(qū)域上。

2.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，位于所述第一阱區(qū)內的第一離子摻雜區(qū)適于調節(jié)LDMOS晶體管的閾值電壓。

3.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，當所述LDMOS晶體管的類型為P型時，所述第一離子為N型離子。

4.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，當所述LDMOS晶體管的類型為N型時，所述第一離子為P型離子。

5.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述柵極結構位于部分第一阱區(qū)和部分第一區(qū)域上；或者所述柵極結構位于部分第一阱區(qū)和全部第一區(qū)域上。

6.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，還包括：源區(qū)，所述源區(qū)位于柵極結構一側的第一阱區(qū)內。

7.根據權利要求6所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述第一離子摻雜區(qū)沿基底頂部表面法線方向上的尺寸大于所述源區(qū)沿基底頂部表面法線方向上的尺寸；或者所述第一離子摻雜區(qū)沿基底頂部表面法線方向上的尺寸小于所述源區(qū)沿基底頂部表面法線方向上的尺寸；或者所述第一離子摻雜區(qū)沿基底頂部表面法線方向上的尺寸等于所述源區(qū)沿基底頂部表面法線方向上的尺寸。

8.根據權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述第二阱區(qū)還包括第二區(qū)域，所述第二區(qū)域與第一區(qū)域鄰接，所述第二區(qū)域和第一阱區(qū)分別位于第一區(qū)域兩側。

9.根據權利要求8所述的LDMOS晶體管，其特征在于，還包括：漏區(qū)，所述漏區(qū)位于第二區(qū)域內。

10.根據權利要求9所述的LDMOS晶體管，其特征在于，還包括：隔離結構，所述隔離結構位于第一區(qū)域和漏區(qū)之間的第二區(qū)域內。

11.根據權利要求10所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述柵極結構位于部分第一阱區(qū)和全部第一區(qū)域上、以及部分隔離結構上。

12.一種ESD器件，其特征在于，包括權利要求1至11任意一項所述的LDMOS晶體管。

13.一種LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在基底中形成第一阱區(qū)，第一阱區(qū)摻雜有第一阱離子；

在基底中形成第二阱區(qū)，所述第二阱區(qū)位于第一阱區(qū)側部，第二阱區(qū)摻雜有第二阱離子，所述第二阱區(qū)包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域與第一阱區(qū)鄰接；

在所述第一阱區(qū)和第一區(qū)域內形成第一離子摻雜區(qū)，第一離子摻雜區(qū)中摻雜有第一離子，第一離子的類型與第一阱離子的類型相同且與第二阱離子的類型相反，所述第一離子摻雜區(qū)還摻雜有第二離子，所述第二離子為碳離子或者氟離子；

在部分第一阱區(qū)和至少部分第一區(qū)域上形成柵極結構。

14.根據權利要求13所述的LDMOS晶體管的形成方法，其特征在于，形成第一離子摻雜區(qū)的方法包括：

在所述基底上形成第三掩膜層，所述第三掩膜層暴露出第一阱區(qū)和第一區(qū)域；

以所述第三掩膜層為掩膜，采用第一離子注入工藝將第一離子注入到第一阱區(qū)和第一區(qū)域中，形成第一離子摻雜區(qū)。