[發明專利]LDMOS晶體管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201610365140.8
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN107437563B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 李勇;衛承青
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種LDMOS晶體管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法，其中LDMOS晶體管包括：基底；第一阱區，位于基底中，第一阱區摻雜有第一阱離子；第二阱區，位于基底中，所述第二阱區位于第一阱區側部，第二阱區摻雜有第二阱離子，所述第二阱區包括第一區域，所述第一區域與第一阱區鄰接；第一離子摻雜區，位于第一阱區和第一區域內，第一離子摻雜區中摻雜有第一離子，第一離子的類型與第一阱離子的類型相同且與第二阱離子的類型相反；柵極結構，位于部分第一阱區和至少部分第一區域上。由于LDMOS晶體管具有第一離子摻雜區，能夠在調節LDMOS晶體管的閾值電壓的同時改善LDMOS晶體管的熱載流子效應，從而提高了LDMOS晶體管的電學性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種LDMOS晶體管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法。

背景技術

功率場效應晶體管是一種重要的晶體管。所述功率場效應晶體管主要包括垂直擴散MOS(Vertical Diffused Metal Oxide semiconductor，VDMOS)晶體管和橫向擴散MOS(Lateral Double-Diffused MOSFET，LDMOS)晶體管。相對于VDMOS晶體管，LDMOS晶體管具有許多優點，如更好的熱穩定性和頻率穩定性、更高的增益、更低的反饋電容和熱阻、以及恒定的輸入阻抗。

然而，現有技術中形成的LDMOS晶體管在調節LDMOS晶體管的閾值電壓的同時不能改善LDMOS晶體管的熱載流子效應，導致LDMOS晶體管的電學性能降低。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種LDMOS晶體管及其形成方法、以及ESD器件及其形成方法，以在調節LDMOS晶體管的閾值電壓的同時改善LDMOS晶體管的熱載流子效應。

為解決上述問題，本發明提供一種LDMOS晶體管，包括：基底；第一阱區，位于基底中，第一阱區摻雜有第一阱離子；第二阱區，位于基底中，所述第二阱區位于第一阱區側部，第二阱區摻雜有第二阱離子，所述第二阱區包括第一區域，所述第一區域與第一阱區鄰接；第一離子摻雜區，位于第一阱區和第一區域內，第一離子摻雜區中摻雜有第一離子，第一離子的類型與第一阱離子的類型相同且與第二阱離子的類型相反；柵極結構，位于部分第一阱區和至少部分第一區域上。

可選的，位于所述第一阱區內的第一離子摻雜區適于調節LDMOS晶體管的閾值電壓。

可選的，當所述LDMOS晶體管的類型為P型時，所述第一離子為N型離子。

可選的，當所述LDMOS晶體管的類型為N型時，所述第一離子為P型離子。

可選的，所述第一離子摻雜區還摻雜有第二離子，所述第二離子為碳離子或者氟離子。

可選的，所述柵極結構位于部分第一阱區和部分第一區域上；或者所述柵極結構位于部分第一阱區和全部第一區域上。

可選的，還包括：源區，所述源區位于柵極結構一側的第一阱區內。

可選的，所述第二阱區還包括第二區域，所述第二區域與第一區域鄰接，所述第二區域和第一阱區分別位于第一區域兩側。

可選的，還包括：漏區，所述漏區位于第二區域內。

可選的，還包括：隔離結構，所述隔離結構位于第一區域和漏區之間的第二區域內。

可選的，所述柵極結構位于部分第一阱區和全部第一區域上、以及部分隔離結構上。

本發明還提供一種ESD器件，包括上述任意一項所述的LDMOS晶體管。