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[發明專利]單晶硅生長過程中粘壁硅的去除方法在審

專利信息
申請號: 201610364026.3 申請日: 2016-05-30
公開(公告)號: CN105951175A 公開(公告)日: 2016-09-21
發明(設計)人: 張俊寶;劉浦鋒;宋洪偉;陳猛 申請(專利權)人: 上海超硅半導體有限公司
主分類號: C30B15/16 分類號: C30B15/16;C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 暫無信息 代理人: 暫無信息
地址: 201604 上*** 國省代碼: 上海;31
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摘要:
搜索關鍵詞: 單晶硅 生長 過程 中粘壁硅 去除 方法
【說明書】:
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1、專利原文基于中國國家知識產權局專利說明書;

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