[發(fā)明專利]單晶硅生長過程中粘壁硅的去除方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610364026.3 | 申請日： | 2016-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN105951175A | 公開（公告）日： | 2016-09-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張俊寶;劉浦鋒;宋洪偉;陳猛 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海超硅半導體有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/16 | 分類號： | C30B15/16;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶硅 生長 過程 中粘壁硅 去除 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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