[發明專利]半導體器件制作方法、半導體器件及電子裝置在審
| 申請號： | 201610362706.1 | 申請日： | 2016-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN107437544A | 公開（公告）日： | 2017-12-05 |
| 發明（設計）人： | 鄧浩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所11336 | 代理人： | 高偉,張建 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制作方法 電子 裝置 | ||
1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：
提供半導體襯底，所述半導體襯底上至少形成有第一硅鰭結構和第二硅鰭結構；
在所述第一硅鰭結構和第二硅鰭結構兩側形成硅鍺層；
向所述第二硅鰭結構兩側的硅鍺層注入鍺以提高該硅鍺層的鍺濃度；
執行SiGe濃縮工藝以使所述第一硅鰭結構和第二硅鰭結構轉變為第一硅鍺鰭結構和第二硅鍺鰭結構，
其中，所述第二硅鍺鰭結構的鍺濃度大于所述第一硅鍺鰭結構的鍺濃度。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一硅鰭結構和第二硅鰭結構兩側的硅鍺層通過選擇性外延法形成。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，通過氧化所述第一硅鰭結構和第二硅鰭結構兩側的硅鍺層來執行所述SiGe濃縮工藝。
4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，還包括下述步驟:
去除所述第一硅鍺鰭結構和第二硅鍺鰭結構兩側被氧化的硅鍺層。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底上還形成有第三硅鰭結構。
6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，還包括下述步驟：
在所述第一硅鰭結構、第二硅鰭結構和第三硅鰭結構兩側形成間隙壁；
去除所述第一硅鰭結構和第二硅鰭結構兩側的間隙壁。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述間隙壁為氮化物。
8.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，還包括下述步驟：在執行所述SiGe濃縮工藝后，去除所述第三硅鰭結構兩側的 間隙壁。
9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括下述步驟:
在所述半導體襯底上形成圖案化的光刻膠層，以至少遮擋所述第一硅鰭結構；
在向所述第二硅鰭結構兩側的硅鍺層注入鍺以提高該硅鍺層的鍺濃度后，去除所述圖案化的光刻膠層。
10.根據權利要求1-9之一所述的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底為絕緣體上硅。
11.一種半導體器件，其特征在于，包括：半導體襯底，在所述半導體襯底上至少形成有第一硅鍺鰭結構和第二硅鍺鰭結構，其中，所述第二硅鍺鰭結構的鍺濃度大于所述第一硅鍺鰭結構的鍺濃度。
12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底為絕緣體上硅。
13.根據權利要求11或12所述的半導體器件，其特征在于，所述第一硅鍺鰭結構和第二硅鍺鰭結構通過1-9之一所述的制作方法形成。
14.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求11或12所述的半導體器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
