[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610362447.2
• 申請日: 2016-05-27
• 公開（公告）號: CN107437506B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 洪中山;華克路;彭進
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

形成襯底，所述襯底表面具有鰭部，所述鰭部包括平行于鰭部延伸方向且相背的第一側壁和第二側壁；

形成位于所述鰭部頂部上的犧牲層；所述犧牲層覆蓋所述鰭部頂部的整個表面；所述犧牲層的厚度為第一離子注入或第二離子注入深度的一半；

同時對所述鰭部的第一側壁和頂部進行第一離子注入；

同時對所述鰭部的第二側壁和頂部進行第二離子注入；

在進行第一離子注入之前，所述形成方法還包括：形成覆蓋所述第一側壁和所述第二側壁的修復層；所述犧牲層的厚度大于所述修復層的厚度。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成犧牲層的步驟包括：所述犧牲層包括氧化硅層、鍺硅層或鍺層中的一層或多層。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度在1納米到2納米范圍內。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成襯底和犧牲層的步驟包括：

提供基底；

在所述基底上依次形成犧牲材料層和掩膜層；

以所述掩膜層為掩模，刻蝕所述犧牲材料層和所述基底，形成所述犧牲層和所述鰭部；

去除所述掩膜層。

5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成掩膜層的步驟包括：采用多重圖形化掩膜工藝形成圖形化的掩膜層。

6.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，提供襯底的步驟中，所述掩膜層包括至少一層氮化硅層。

7.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲材料層和所述掩膜層的步驟包括：通過化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積或爐管的方式形成所述犧牲材料層和所述掩膜層。

8.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成方法在去除所述掩膜層后，進行第一離子注入和第二離子注入之前，所述形成方法還包括：去除部分厚度的犧牲層。

9.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述修復層在去除所述掩膜層之后形成。

10.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于，形成修復層的步驟包括：通過沉積或爐管的方式在所述第一側壁和第二側壁上形成所述修復層。

11.如權利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述修復層的厚度比所述犧牲層的厚度小1納米到2納米。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成襯底之后，在形成犧牲層之前，還包括：在相鄰鰭部之間填充隔離層。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的步驟和所述第二離子注入的步驟包括：采用側向離子注入工藝進行第一離子注入或第二離子注入，或者采用側向離子注入工藝進行第一離子注入和第二離子注入。

14.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的步驟和所說第二離子注入的步驟包括：所述第一離子注入或所述第二離子注入的注入角度在30°到80°范圍內；或者，所述第一離子注入和所述第二離子注入的注入角度在30°到80°范圍內。

15.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入和所述第二離子注入的步驟中，所述第一離子注入和所述第二離子注入的注入深度小于10nm。

16.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在對所述鰭部進行第一離子注入和第二離子注入之后，所述形成方法還包括：去除所述犧牲層露出所述鰭部的頂部。