[發(fā)明專利]靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的布局圖案

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610356955.X
• 申請(qǐng)日: 2016-05-26
• 公開（公告）號(hào): CN107346770B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉書瑋;吳宗訓(xùn);蘇智洺;郭有策
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11
• 分類號(hào): H01L27/11
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的布局圖案，至少包含：

第一上拉晶體管(PL1)、第二上拉晶體管(PL2)、第一下拉晶體管(PD1)、第二下拉晶體管(PD2)、第一存取晶體管(PG1)以及第二存取晶體管(PG2)位于一基底上；

多個(gè)鰭狀結(jié)構(gòu)位于該基底上，該些鰭狀結(jié)構(gòu)至少包含有至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)、至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)、至少一第三鰭狀結(jié)構(gòu)以及至少一第四鰭狀結(jié)構(gòu)；

J狀柵極結(jié)構(gòu)，該J狀柵極結(jié)構(gòu)包含有一長(zhǎng)邊部分、一短邊部分，以及一連接該長(zhǎng)邊部分與該短邊部分的橋接部分，其中該第一下拉晶體管(PD1)至少包含該J狀柵極結(jié)構(gòu)以及該至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)、該至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)和該至少一第四鰭狀結(jié)構(gòu)，其中該長(zhǎng)邊部分橫跨于該至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)、該至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)、該至少一第三鰭狀結(jié)構(gòu)以及該至少一第四鰭狀結(jié)構(gòu)，而該短邊部分則跨越該至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)；

第一存取柵極結(jié)構(gòu)，位于該基底上，其中該第一存取柵極結(jié)構(gòu)與該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該短邊部分排列方向相同，且該第一存取柵極結(jié)構(gòu)與該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該短邊部分具有相同的一對(duì)稱軸，該第一存取柵極結(jié)構(gòu)橫跨該至少一第四鰭狀結(jié)構(gòu)；以及

第一延伸接觸結(jié)構(gòu)(N1)，橫跨于該至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)、該至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)、該至少一第三鰭狀結(jié)構(gòu)以及該至少一第四鰭狀結(jié)構(gòu)，其中該第一延伸接觸結(jié)構(gòu)與該橋接部分不重疊。

2.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該短邊部分，位于該橋接部分以及該第一存取柵極結(jié)構(gòu)之間。

3.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該長(zhǎng)邊部分橫跨于該至少一第三鰭狀結(jié)構(gòu)上，組成該第一上拉晶體管(PL1)的一柵極。

4.如權(quán)利要求3所述的布局圖案，其中還包含一電壓源Vcc，與該至少一第三鰭狀結(jié)構(gòu)電連接。

5.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該第一延伸接觸結(jié)構(gòu)為連續(xù)結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中還包含至少一字符線，與該第一存取柵極結(jié)構(gòu)電連接。

7.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該第一存取柵極結(jié)構(gòu)與該J狀柵極結(jié)構(gòu)不互相接觸。

8.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該長(zhǎng)邊部分與該短邊部分沿著一第一方向排列，該橋接部分沿著一第二方向排列。

9.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中還包含至少一位線，與該至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)電連接。

10.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中還包含一電壓源Vss，與該至少一第一鰭狀結(jié)構(gòu)與該至少一第二鰭狀結(jié)構(gòu)電連接。

11.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的布局圖案位于一特定范圍內(nèi)，該特定范圍具有一邊界，其中該橋接部分相鄰于該邊界。

12.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該第一延伸接觸結(jié)構(gòu)位于該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該長(zhǎng)邊部分與該短邊部分之間。

13.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，還包含一第二存取柵極結(jié)構(gòu)，位于該基底上，其中該第二存取柵極結(jié)構(gòu)與該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該短邊部分排列方向相同。

14.如權(quán)利要求13所述的布局圖案，其中該第二存取柵極結(jié)構(gòu)與該J狀柵極結(jié)構(gòu)的該短邊部分具有相同的一對(duì)稱軸。

15.如權(quán)利要求14所述的布局圖案，其中還包含第三存取晶體管(PG3)以及第四存取晶體管(PG4)位于該基底上。

16.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中該橋接部分為一單層的多晶硅層。

17.如權(quán)利要求1所述的布局圖案，其中還包含接觸結(jié)構(gòu)，位于該橋接部分與該長(zhǎng)邊部分之間，以及另一接觸結(jié)構(gòu)位于該橋接部分與該短邊部分之間，且該橋接部分為一金屬層。