[發明專利]大尺寸掩膜基板的制作方法在審
| 申請號： | 201610353542.6 | 申請日： | 2016-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN105785710A | 公開（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發明（設計）人： | 唐軍 | 申請（專利權）人： | 唐軍 |
| 主分類號： | G03F1/60 | 分類號： | G03F1/60;G03F1/68 |
| 代理公司： | 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228 | 代理人： | 鄭學偉;葉利軍 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市坪山新區坪*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 尺寸 掩膜基板 制作方法 | ||
1.一種大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供多條橫向膜片和多條縱向膜片；
將多條所述橫向膜片與多條所述縱向膜片縱橫交錯布置，以形成矩陣分 布多個方形的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔具有加工余量；
通過張緊機將縱橫交錯布置的所述橫向膜片和所述縱向膜片張緊；
采用焊接工藝將張緊后的所述橫向膜片和所述縱向膜片相對焊接固定， 以形成所述掩膜基板；
對所述蒸鍍孔進行精加工，使得所述蒸鍍孔達到預定值。
2.根據權利要求1所述的大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，所 述將多條所述橫向膜片與多條所述縱向膜片縱橫交錯布置之前，還包括：
在每個所述橫向膜片的下表面設置多個沿縱向延伸的第一凹槽，多個所 述第一凹槽沿橫向間隔分布于所述橫向膜片上，每個所述第一凹槽縱向的兩 端敞開；
在每個所述縱向膜片的上表面間隔設置有多個沿橫向延伸的第二凹槽， 多個所述第二凹槽沿縱向間隔分布于所述縱向膜片上，每個所述第二凹槽橫 向的兩端敞開；
所述采用焊接工藝將張緊后的所述橫向膜片和所述縱向膜片相對焊接固 定之前還包括：
將相交的所述橫向膜片和所述縱向膜片中所述橫向膜片上的所述第一凹 槽與所述縱向膜片上對應的所述第二凹槽上下相對；
在所述橫向膜片和所述縱向膜片張緊后，將橫向膜片上的所述第一凹槽 位置與縱向膜片上相對的所述第二凹槽位置嵌合，以使所述橫向膜片的上表 面和所述縱向膜片的上表面平齊。
3.根據權利要求2所述的大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，所 述采用焊接工藝將張緊后的所述橫向膜片和所述縱向膜片相對焊接固定具體 為：
采用激光點焊工藝在相交的所述橫向膜片和所述縱向膜片上第一凹槽與 第二凹槽嵌合位置焊接固定。
4.根據權利要求2所述的大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，所 述第一凹槽的寬度略小于所述縱向膜片的寬度，所述第二凹槽的寬度略小于 所述橫向膜片的寬度，以使通過張緊機將縱橫交錯布置的所述橫向膜片和所 述縱向膜片張緊后的第一凹槽在寬度等于所述縱向膜片的寬度，所述第二凹 槽的寬度等于所述橫向膜片的寬度。
5.根據權利要求2所述的大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，所 述第一凹槽的深度等于所述縱向膜片的厚度減去所述第二凹槽的深度，所述 第二凹槽的深度等于所述橫向膜片的厚度減去所述第一凹槽的深度。
6.根據權利要求2所述的大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，所 述將多條所述橫向膜片與多條所述縱向膜片縱橫交錯布置之前，還包括：
對所述多條橫向膜片和多條縱向膜片進行熱處理。
7.根據權利要求1所述的大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，所 述采用焊接工藝將張緊后的所述橫向膜片和所述縱向膜片相對焊接固定步驟 中，在所述縱向膜片或所述橫向膜片的下表面焊接，以使焊點形成于所述縱 向膜片或所述橫向膜片的下表面。
8.根據權利要求1所述的大尺寸掩膜基板的制作方法，其特征在于，所 述對所述蒸鍍孔進行精加工，使得所述蒸鍍孔達到預定值具體為：
采用激光加工工藝對所述蒸鍍孔進行精加工，使得所述蒸鍍孔達到預定 值。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
