[發明專利]半導體存儲器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201610352649.9
• 申請日: 2016-05-25
• 公開（公告）號: CN107025923B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 裴成鎬;金智善;鄭圣蓉
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C8/08;G11C8/18
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種操作包括聯接在位線與源極線之間的多個單元串的半導體存儲器裝置的方法，每個單元串包括分別聯接至選擇線的選擇晶體管以及分別聯接至多條字線的多個存儲器單元，該方法包括以下步驟：

對聯接有所述多個存儲器單元當中的已選擇的存儲器單元的已選擇的字線施加讀取電壓，并且對聯接有所述多個存儲器單元當中的未選擇的存儲器單元的未選擇的字線施加通過電壓；

讀取存儲在所述已選擇的存儲器單元中的數據；以及

在對所述已選擇的字線和所述未選擇的字線進行放電之前，對所述選擇線中的至少一條進行放電。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，對所述選擇線中的至少一條進行放電的步驟包括以下步驟：

對所述選擇線中的至少一條施加地電壓；以及

在完成對所述選擇線進行放電之后，對所述已選擇的字線和所述未選擇的字線施加所述地電壓。

3.根據權利要求2所述的方法，該方法還包括以下步驟：在對所述選擇線中的至少一條施加所述地電壓之前，對所述已選擇的字線施加所述通過電壓。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述選擇線包括源極選擇線和漏極選擇線，并且對所述選擇線中的至少一條施加所述地電壓的步驟包括以下步驟：首先對所述源極選擇線和所述漏極選擇線中的任一條施加所述地電壓。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，對所述已選擇的字線和所述未選擇的字線施加所述地電壓的步驟包括以下步驟：從離所述源極線和所述位線中的任一條最遠的字線開始依次對所述字線施加所述地電壓。

6.根據權利要求2所述的方法，其中，對所述已選擇的字線和所述未選擇的字線施加所述地電壓的步驟包括以下步驟：將所述多條字線劃分為至少一個字線組；以及從與所述源極線和所述位線中的任一條最靠近的字線組開始依次對所述至少一個字線組施加所述地電壓。

7.一種操作包括聯接在位線與源極線之間的多個單元串的半導體存儲器裝置的方法，每個單元串包括分別聯接至選擇線的選擇晶體管以及分別聯接至多條字線的多個存儲器單元，該方法包括以下步驟：

對聯接有所述多個存儲器單元當中的已選擇的存儲器單元的已選擇的字線施加通過電壓，以及對聯接有所述多個存儲器單元當中的未選擇的存儲器單元的未選擇的字線施加所述通過電壓；

如果在所述通過電壓被施加到所述已選擇的字線之后經過第一基準時間，則對所述選擇線進行放電；以及

如果在所述選擇線被放電之后經過第二基準時間，則對所述已選擇的字線和所述未選擇的字線進行放電。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一基準時間是針對所述已選擇的字線的電壓電平達到所述通過電壓所花費的時間。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第二基準時間是針對所述選擇線的電壓電平達到地電壓所花費的時間。

10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述選擇線包括源極選擇線和漏極選擇線，并且對所述選擇線進行放電的步驟包括以下步驟：首先對所述源極選擇線和所述漏極選擇線中的任一條進行放電。

11.根據權利要求7所述的方法，其中，對所述已選擇的字線和所述未選擇的字線進行放電的步驟包括以下步驟：從離所述源極線和所述位線中的任一條最遠的字線開始依次對所述字線進行放電。

12.根據權利要求7所述的方法，其中，對所述已選擇的字線和所述未選擇的字線進行放電的步驟包括以下步驟：將所述多條字線劃分為至少一個字線組；以及從與所述源極線和所述位線中的任一條最靠近的字線組開始依次對所述至少一個字線組進行放電。

13.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一基準時間和所述第二基準時間被存儲在所述多個存儲器單元當中的內容可尋址存儲器CAM區域中。