[發明專利]多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法有效
| 申請號: | 201610341136.8 | 申請日: | 2016-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN106046279B | 公開(公告)日: | 2018-03-09 |
| 發明(設計)人: | 曹鳳梅;盧少勇;吳豐昌 | 申請(專利權)人: | 中國環境科學研究院 |
| 主分類號: | C08F292/00 | 分類號: | C08F292/00;C08F220/56;C08F222/14;C08K9/04;C08K7/24;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/30;C02F1/28 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多壁碳 納米 表面 辛酸 分子 印跡 聚合物 制備 方法 | ||
1.多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,該聚合物可以選擇性去除水環境中的全氟辛酸(PFOA),所述方法的具體步驟如下:
(1)硅氧化多壁碳納米管的制備:首先將多壁碳納米管(MWCNTs)和十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)分散到一定體積去離子水中,20℃溫度下超聲處理60min,超聲完成后將MWCNTs和CTAB混合充分的混合液加入至無水乙醇中,繼續超聲處理30min獲得穩定的懸浮液,迅速加入氨水(NH3·H2O)作為分散劑,之后邊攪拌邊滴加正硅酸乙酯(TEOS)溶液,30℃條件下攪拌12h;最后將反應液過0.45μm的聚偏氟乙烯膜,并用無水乙醇清洗收集納米顆粒,最后在80℃真空干燥條件下至恒重,獲得MWCNTs@SiO2,裝袋密封備用;
(2)乙烯基化多壁碳納米管的制備:分別將一定體積的甲苯和一定質量的MWCNTs@SiO2裝入250mL的錐形瓶中,隨后將乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)加入至上述混合液中,之后對該混合液進行超聲處理30min,獲得均一的分散液,在N2保護、80℃條件下回流16h,過濾混合液收集固體納米顆粒,依次使用甲苯、乙腈和甲醇洗滌數次,80℃下真空干燥至恒重,獲得MWCNTs@SiO2-HC=CH2,裝袋密封備用;
(3)多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物(MWCNTs@MIP)的制備:稱取一定量的MWCNTs@SiO2-HC=CH2于裝有乙腈的50mL具塞錐形瓶中,150r/min條件下振蕩2h,之后超聲分散30min,待MWCNTs@SiO2-HC=CH2在溶劑中均勻分散后分別加入模板分子和功能單體,繼續在150r/min條件下振蕩3h,使得各組分之間混合均勻,之后取出錐形瓶加入10mg的引發劑AIBN,并分別超聲、氮吹10min以除去反應體系中的氧氣,確保自由基聚合反應的順利進行,迅速加入交聯劑并密封錐形瓶,加熱條件下反應一段時間后過濾沉淀,并用醋酸/甲醇混合液進行洗脫,之后用去離子水洗滌數次沉淀物,置于恒溫真空干燥箱中干燥至恒重,獲得MWCNTs@MIP。
2.如權利要求1所述的多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:步驟(1)中MWCNTs和CTAB的投加量分別為0.2g和1.0g,所使用的去離子水與分散劑氨水的體積分別為20mL和2mL。
3.如權利要求1所述的多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:步驟(2)中甲苯的體積為150mL,MWCNTs@SiO2的質量為0.5g,VTES的投加量為1.0mL。
4.如權利要求1所述的多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:步驟(3)中MWCNTs@SiO2-HC=CH2和乙腈的投加量分別為20mg和10mL。
5.如權利要求1所述的多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:步驟(3)中模板分子、功能單體和交聯劑分別為PFOA、丙烯酰胺(AAM)和二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)。
6.如權利要求1所述的多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:步驟(3)中模板分子、功能單體和交聯劑的反應比例為1∶4∶25,投加量分別為0.0414g、0.432g和470μL。
7.如權利要求1所述的多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:步驟(3)中加熱溫度為60℃,使用磁力攪拌,攪拌速度為200-300r/min,反應時間為12h。
8.如權利要求1所述的多壁碳納米管表面全氟辛酸分子印跡聚合物的制備方法,其特征在于:步驟(3)中聚合物的洗脫方式為索氏提取法,提取液為體積比為1∶6的醋酸/甲醇混合溶液,洗脫時間為48h,既能夠有效的去除模板分子,又可以形成足夠的吸附結合位點。
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