[發(fā)明專利]氮化硅薄膜去除方法及半導(dǎo)體器件的制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610340628.5
• 申請(qǐng)日: 2016-05-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107403725A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 紀(jì)世良;張海洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所11336
• 代理人: 高偉,張建

1.一種氮化硅薄膜的去除方法，其特征在于，在使用刻蝕工藝去除氮化硅薄膜時(shí)，使用可以實(shí)現(xiàn)氮化硅對(duì)多晶硅和/或磷化硅高選擇性的刻蝕氣體，其中所述氮化硅對(duì)多晶硅和/或磷化硅的選擇性高于50。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅薄膜的去除方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為C₅H₇F和氧氣的混合氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅薄膜的去除方法，其特征在于，所述C₅H₇F的流速為2～50sccm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化硅薄膜的去除方法，其特征在于，所述C₅H₇F的流速為8sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化硅薄膜的去除方法，其特征在于，所述氧氣的流速為0或大于30sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的氮化硅薄膜的去除方法，其特征在于，在去除所述氮化硅薄膜時(shí)使用遠(yuǎn)程等離子體刻蝕工藝。

7.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：

提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成圖形化的氮化硅薄膜；

以所述圖形化的氮化硅薄膜作為遮蔽層來(lái)進(jìn)行后續(xù)工藝；

使用如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的氮化硅薄膜去除方法去除所述圖形化的氮化硅薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述后續(xù)工藝為蝕刻工藝、離子注入工藝或選擇性外延生長(zhǎng)工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述后續(xù)工藝為選擇性外延磷化硅工藝。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底包括NMOS器件區(qū)域和PMOS器件區(qū)域，在所述NMOS器件區(qū)域和PMOS器件區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上均形成有含硅鰭片，在所述NMOS器件區(qū)域和PMOS器件區(qū)域的所述含硅鰭片上形成有柵極，在所述NMOS器件區(qū)域的所述柵極兩側(cè)形成所述選擇性外延磷化硅作為所述NMOS器件的源漏極，在所述PMOS器件區(qū)域 的所述柵極兩側(cè)形成所述選擇性外延硅鍺作為所述PMOS器件的源漏極。