[發明專利]應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置

在審

• 申請號: 201610332706.7
• 申請日: 2016-05-18
• 公開（公告）號: CN107404112A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 張玲月;黃鵬如;洪奇正
• 申請（專利權）人: 來揚科技股份有限公司
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 王程,何沖

1.一種應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，該MRAM受控于源極線控制電路、地址切換電路單元、位線控制電路以及讀取電流控制單元來被進行讀寫操作，且該MRAM具有記憶元件陣列，該記憶元件陣列由多行磁性記憶元件及多列磁性記憶元件所構成，每一磁性記憶元件包括位線控制端、字符線控制端以及源極線控制端，該尖峰電流旁路保護控制裝置包括：

位線，其與所述位線控制電路連接，且每一列的各所述磁性記憶元件的位線控制端與該位線連接；

字符線，其與所述地址切換電路單元連接，且每一行的各所述磁性記憶元件的字符線控制端與該字符線連接；以及

旁路單元，在各列磁性記憶元件配置該旁路單元，且該配置的旁路單元與所述列磁性記憶元件的位線控制端與源極線控制端連接。

2.根據權利要求1所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，前述磁性記憶元件包括MTJ組件以及與前述MTJ組件一端連接的開關單元。

3.根據權利要求2所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，前述開關單元為晶體管，前述晶體管的漏極與前述MTJ組件一端連接，前述MTJ組件的另一端為前述位線控制端，前述晶體管的柵極作為前述字符線控制端，前述晶體管的源極作為前述源極線控制端。

4.根據權利要求1所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，其中，前述旁路單元為開關單元。

5.根據權利要求4所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，，前述開關單元為低電位導通或高電位導通的旁路晶體管。

6.根據權利要求5所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，前述旁路晶體管的柵極與前述地址切換電路單元連接，且每一磁性記憶元件的位線控制端以及源極線控制端分別連接一列選擇開關，各該列選擇開關與該地址切換電路單元連接；前述地址切換電路單元用以輸出一列選擇控制信號至該列選擇開關且輸出一行選擇控制信號于該多行磁性記憶元件中的其中一行，并輸出一旁路信號至前述旁路晶體管的柵極。

7.根據權利要求6所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，前述列選擇開關為選擇用晶體管，該選擇用晶體管的柵極與前述地址切換電路單元連接，用以依據該列選擇控制信號開啟所述多列磁性記憶元件的其中一列。

8.根據權利要求1、2、3、4、5、6或7所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，該MRAM執行寫入信號“0”而開啟與前述地址切換電路單元連接的選擇開關時，可通過前述旁路單元提供導引路徑將所產生的瞬間尖峰電流導引至前述源極線控制電路所提供的接地端。

9.根據權利要求1、2、3、4、5、6或7所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，該MRAM執行寫入信號“1”而開啟與前述地址切換電路單元連接的選擇開關時，可通過前述旁路單元所提供的導引路徑將所產生的瞬間尖峰電流導引至該位線控制電路所提供的接地端。

10.根據權利要求1、2、3、4、5、6或7所述的應用于MRAM的尖峰電流旁路保護控制裝置，其特征在于，該MRAM執行讀取操作而開啟與前述地址切換電路單元連接的選擇開關時，可通過前述旁路單元所提供的導引路徑將所產生的瞬間尖峰電流導引至該讀取電流控制電路所提供的接地端。