[發明專利]低反射金屬結構、顯示面板及其制作方法

在審

• 申請號: 201610331716.9
• 申請日: 2016-05-18
• 公開（公告）號: CN105785639A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 王碩宏;林巧雯;張家銘;林俊男
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

技術領域

本發明關于一種低反射金屬結構及其制作方法，尤指一種具有低反射金屬結構的 顯示面板及其制作方法。

背景技術

液晶顯示面板由于具有外型輕薄、耗電量少以及應用范圍廣等特性，故已成為目 前顯示器的主流商品。由于液晶顯示面板內的金屬結構例如導線會反射外界的光線，造成 用戶在使用液晶顯示面板時會看到液晶顯示面板的內部導線，因此目前常見的作法是在液 晶顯示面板內設置黑色矩陣層，以防止導線反射外界光線的情形發生。然而，黑色矩陣層的 設置會造成液晶顯示面板的開口率下降，使得顯示亮度降低。

發明內容

本發明的目的之一在于提供一種低反射金屬結構、顯示面板及其制作方法，以減 少金屬結構的可視性并提升顯示面板的開口率。

為達上述的目的，本發明提供一種制作低反射金屬結構的方法。首先，提供第一基 板。然后，于第一基板上形成金屬層。接著，于金屬層上及/或下形成低反射層，其中低反射 層包括金屬氧化物層或金屬氮氧化物層。隨后，對低反射層與金屬層進行圖案化工藝，以形 成圖案化低反射層以及圖案化金屬層。

其中，于該金屬層上及/或下形成該低反射層的步驟包括進行一反應性濺鍍工藝 步驟。

其中，該制作低反射金屬結構的方法，另包括：

于該金屬層上及/或下形成該低反射層時，同時于該第一基板與該圖案化低反射 層之間，或該金屬層與該低反射層之間形成一接口層；以及

利用該圖案化工藝一并對該接口層進行圖案化。

其中，該接口層的材料包括金屬氧化物或金屬氮氧化物。

其中，于該金屬層上形成該低反射層時，該圖案化低反射層僅覆蓋該圖案化金屬 層的頂表面而未覆蓋該圖案化金屬層的側表面。

其中，該圖案化低反射層的厚度介于之間。

其中，該圖案化金屬層具有一迭合結構，包括一底金屬層以及一頂金屬層位于該 底金屬層上。

其中，該底金屬層的厚度介于之間，且該頂金屬層的厚度介于之間。

其中，該圖案化低反射層的反射率介于2％至20％之間。

其中，該金屬氧化物層中氧的含量原子百分比介于5％至50％之間。

其中，該金屬氧化物層包括一鉬氧化物層或一鉬鉭氧化物層。

其中，該金屬氮氧化物層中氧的含量原子百分比介于5％至50％之間，且該金屬氮 氧化物層中氮的含量介于1％至10％之間。

其中，該金屬氮氧化物層包括一鉬氮氧化物層或一鉬鉭氮氧化物層。

其中，該圖案化金屬層的側表面與底表面之間具有一夾角，且該夾角介于10度至 80度之間。

其中，該低反射層為非晶相。

其中，另包括在形成該金屬層與該低反射層之前，先于該第一基板上形成一薄膜 層，且該薄膜層為硅薄膜、硅氧化合物薄膜或硅氮化合物薄膜的單層或多層結構。

為達上述的目的，本發明又提供一種制作顯示面板的方法。首先，進行上述的制作 低反射金屬結構的方法。然后，于第一基板上形成多個像素結構。接著，于第一基板上形成 第二基板。隨后，于第一基板與第二基板之間形成顯示介質層。

為達上述的目的，本發明另提供一種低反射金屬結構，包括第一基板、圖案化金屬 層以及圖案化低反射層。圖案化金屬層設置于第一基板上。圖案化低反射層設置于圖案化 金屬層上及/或下。

其中，該圖案化低反射層設置于該圖案化金屬層上時，該圖案化低反射層僅覆蓋 該圖案化金屬層的頂表面而未覆蓋該圖案化金屬層的側表面。

其中，該圖案化低反射層的厚度介于之間。

其中，該圖案化金屬層具有一迭合結構，其包括一底金屬層以及一頂金屬層位于 該底金屬層上。

其中，該底金屬層的厚度介于之間，且該頂金屬層的厚度介于之間。

其中，該圖案化低反射層的反射率介于2％至20％之間。

其中，該圖案化低反射層包括一金屬氧化物層或一金屬氮氧化物層。

其中，該金屬氧化物層中氧的含量原子百分比介于5％至50％之間。

其中，該金屬氧化物層包括一鉬氧化物層或一鉬鉭氧化物層。

其中，該金屬氮氧化物層中氧的含量原子百分比介于5％至50％之間，且該金屬氮 氧化物層中氮的含量介于1％至10％之間。