[發明專利]低反射金屬結構、顯示面板及其制作方法

在審

• 申請號: 201610331716.9
• 申請日: 2016-05-18
• 公開（公告）號: CN105785639A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 王碩宏;林巧雯;張家銘;林俊男
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，包括：

提供一第一基板；

于該第一基板上形成一金屬層；

于該金屬層上及/或下形成一低反射層，該低反射層包括一金屬氧化物層或一金屬氮 氧化物層；以及

對該低反射層與該金屬層進行一圖案化工藝，以形成一圖案化低反射層以及一圖案化 金屬層。

2.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，于該金屬層上及/ 或下形成該低反射層的步驟包括進行一反應性濺鍍工藝步驟。

3.根據權利要求2所述的制作低反射金屬結構的方法，另包括：

于該金屬層上及/或下形成該低反射層時，同時于該第一基板與該圖案化低反射層之 間，或該金屬層與該低反射層之間形成一接口層；以及

利用該圖案化工藝一并對該接口層進行圖案化。

4.根據權利要求3所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該接口層的材料包 括金屬氧化物或金屬氮氧化物。

5.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，于該金屬層上形成 該低反射層時，該圖案化低反射層僅覆蓋該圖案化金屬層的頂表面而未覆蓋該圖案化金屬 層的側表面。

6.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該圖案化低反射層 的厚度介于之間。

7.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該圖案化金屬層具 有一迭合結構，包括一底金屬層以及一頂金屬層位于該底金屬層上。

8.根據權利要求7所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該底金屬層的厚度 介于之間，且該頂金屬層的厚度介于之 間。

9.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該圖案化低反射層 的反射率介于2％至20％之間。

10.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該金屬氧化物層 中氧的含量原子百分比介于5％至50％之間。

11.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該金屬氧化物層 包括一鉬氧化物層或一鉬鉭氧化物層。

12.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該金屬氮氧化物 層中氧的含量原子百分比介于5％至50％之間，且該金屬氮氧化物層中氮的含量介于1％至 10％之間。

13.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該金屬氮氧化物 層包括一鉬氮氧化物層或一鉬鉭氮氧化物層。

14.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該圖案化金屬層 的側表面與底表面之間具有一夾角，且該夾角介于10度至80度之間。

15.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，該低反射層為非 晶相。

16.根據權利要求1所述的制作低反射金屬結構的方法，其特征在于，另包括在形成該 金屬層與該低反射層之前，先于該第一基板上形成一薄膜層，且該薄膜層為硅薄膜、硅氧化 合物薄膜或硅氮化合物薄膜的單層或多層結構。

17.一種制作顯示面板的方法，其特征在于，包括：

進行權利要求1所述的該制作低反射金屬結構的方法；

于該第一基板上形成多個像素結構；

于該第一基板上形成一第二基板；以及

于該第一基板與該第二基板之間形成一顯示介質層。

18.根據權利要求17所述的制作顯示面板的方法，其特征在于，該圖案化金屬層包括一 柵極線、一柵極、一共通線、一數據線、一源極或一漏極的其中至少一者。