[發(fā)明專利]高階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610331692.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105807838B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周前能;徐蘭;龐宇;林金朝;李紅娟;李國(guó)權(quán);李章勇;王偉;冉鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 重慶郵電大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G05F1/567 | 分類號(hào): | G05F1/567 |
| 代理公司: | 重慶為信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)50216 | 代理人: | 余錦曦 |
| 地址: | 400065*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 溫度 補(bǔ)償 基準(zhǔn) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路。
背景技術(shù)
帶隙基準(zhǔn)電路是許多模擬及數(shù)模混合電路系統(tǒng)的基本模塊,其為模擬及數(shù)模混合電路系統(tǒng)提供穩(wěn)定的參考電壓,其性能特性直接影響模擬及數(shù)模混合電路系統(tǒng)的性能特性。
圖1給出了一種傳統(tǒng)的一階帶隙基準(zhǔn),電阻R2與R3完全一樣,NMOS晶體管M1與M2具有相同的寬長(zhǎng)比,PNP型三極管Q2的發(fā)射極面積是PNP型三極管Q1的發(fā)射極面積的α倍。PNP型三極管Q1的發(fā)射極-基極電壓VEB1隨著溫度增加而降低,電阻R2的兩端電壓其中k是玻耳茲曼常數(shù),T是絕對(duì)溫度,q是電子電荷,R1為電阻R1的阻值,R2為電阻R2的阻值。根據(jù)疊加原理,圖1所示的帶隙基準(zhǔn)電路輸出端VREF的電壓式中,VEB1具有負(fù)溫度系數(shù),具有正溫度系數(shù),因而合理調(diào)整α、R1及R2的大小,在一定溫度范圍內(nèi)可以得到零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)參考電壓VREF。
然而,由于PNP型三極管發(fā)射極-基極電壓VEB的溫度非線性使得一階帶隙基準(zhǔn)參考電壓具有較高的溫度系數(shù),從而制約了一階帶隙基準(zhǔn)電路在高精度系統(tǒng)中的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)通過(guò)提供一種高階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路,能夠大大降低帶隙基準(zhǔn)電路輸出電壓的溫度系數(shù)。
本申請(qǐng)采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
一種高階溫度補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電路,包括啟動(dòng)電路、雙極型帶隙基準(zhǔn)電路、分段線性溫度補(bǔ)償電路以及ΔVGS溫度補(bǔ)償電路,其中,所述啟動(dòng)電路的啟動(dòng)信號(hào)輸出端分別連接所述雙極型帶隙基準(zhǔn)電路的啟動(dòng)信號(hào)輸入端以及ΔVGS溫度補(bǔ)償電路的啟動(dòng)信號(hào)輸入端,所述雙極型帶隙基準(zhǔn)電路的信號(hào)輸出端分別連接所述啟動(dòng)電路的電壓信號(hào)輸入端以及所述分段線性溫度補(bǔ)償電路的信號(hào)輸入端,所述啟動(dòng)電路使得帶隙基準(zhǔn)電路正常工作,所述雙極型帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生低溫度系數(shù)的帶隙參考電壓,所述分段線性溫度補(bǔ)償電路產(chǎn)生溫度分段線性補(bǔ)償電壓,所述ΔVGS溫度補(bǔ)償電路產(chǎn)生ΔVGS溫度補(bǔ)償電壓,所述分段線性溫度補(bǔ)償電路以及ΔVGS溫度補(bǔ)償電路對(duì)所述雙極型帶隙基準(zhǔn)電路進(jìn)行溫度補(bǔ)償,即將所述分段線性溫度補(bǔ)償電路產(chǎn)生的溫度分段線性補(bǔ)償電壓和所述ΔVGS溫度補(bǔ)償電路產(chǎn)生的ΔVGS溫度補(bǔ)償電壓加入到所述雙極型帶隙基準(zhǔn)電路產(chǎn)生的低溫度系數(shù)帶隙參考電壓中。
作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案,所述啟動(dòng)電路包括:PMOS管MS1、PMOS管MS2、NMOS管MS3、NMOS管MS4、NMOS管MS5以及NMOS管MS6,所述雙極型帶隙基準(zhǔn)電路包括:PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、誤差放大器A1、誤差放大器A2、PNP型三極管Q1、PNP型三極管Q2、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4以及電阻R5,所述分段線性溫度補(bǔ)償電路包括:PMOS管M6、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M7、NMOS管M8以及NMOS管M12,所述ΔVGS溫度補(bǔ)償電路包括:PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、NMOS管M19、NMOS管M20、誤差放大器A3、電阻R6以及電阻R7;
其中,在所述啟動(dòng)電路中PMOS管MS1的源極與外部電源VDD相連,PMOS管MS1的柵極與PMOS管MS1的漏極以及PMOS管MS2的源極相連,PMOS管MS2的柵極與PMOS管MS2的漏極、NMOS管MS3的漏極、NMOS管MS4的柵極、NMOS管MS5的柵極以及NMOS管MS6的柵極相連,NMOS管MS3的源極與NMOS管MS4的源極、NMOS管MS5的源極、NMOS管MS6的源極以及外部地線GND相連;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于重慶郵電大學(xué),未經(jīng)重慶郵電大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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