[發(fā)明專利]高階溫度補償帶隙基準電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610331692.7
• 申請日: 2016-05-18
• 公開（公告）號: CN105807838B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發(fā)明（設計）人: 周前能;徐蘭;龐宇;林金朝;李紅娟;李國權;李章勇;王偉;冉鵬
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 重慶為信知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)50216
• 代理人: 余錦曦

1.一種高階溫度補償帶隙基準電路，其特征在于，包括啟動電路(1)、雙極型帶隙基準電路(2)、分段線性溫度補償電路(3)以及ΔV_GS溫度補償電路(4)，其中，所述啟動電路(1)的啟動信號輸出端分別連接所述雙極型帶隙基準電路(2)的啟動信號輸入端以及所述ΔV_GS溫度補償電路(4)的啟動信號輸入端，所述雙極型帶隙基準電路(2)的信號輸出端分別連接所述啟動電路(1)的電壓信號輸入端以及所述分段線性溫度補償電路(3)的信號輸入端，所述啟動電路(1)使得帶隙基準電路正常工作，所述雙極型帶隙基準電路(2)產(chǎn)生低溫度系數(shù)的帶隙參考電壓，所述分段線性溫度補償電路(3)產(chǎn)生溫度分段線性補償電壓，所述ΔV_GS溫度補償電路(4)產(chǎn)生ΔV_GS溫度補償電壓，所述分段線性溫度補償電路(3)以及ΔV_GS溫度補償電路(4)對所述雙極型帶隙基準電路(2)進行溫度補償，即將所述分段線性溫度補償電路(3)產(chǎn)生的溫度分段線性補償電壓和所述ΔV_GS溫度補償電路(4)產(chǎn)生的ΔV_GS溫度補償電壓加入到所述雙極型帶隙基準電路(2)產(chǎn)生的帶隙參考電壓中；

所述啟動電路(1)包括：PMOS管MS1、PMOS管MS2、NMOS管MS3、NMOS管MS4、NMOS管MS5以及NMOS管MS6，所述雙極型帶隙基準電路(2)包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、誤差放大器A1、誤差放大器A2、PNP型三極管Q1、PNP型三極管Q2、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4以及電阻R5，所述分段線性溫度補償電路(3)包括：PMOS管M6、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M7、NMOS管M8以及NMOS管M12，所述ΔV_GS溫度補償電路(4)包括：PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、NMOS管M19、NMOS管M20、誤差放大器A3、電阻R6以及電阻R7；

其中，在所述啟動電路(1)中PMOS管MS1的源極與外部電源VDD相連，PMOS管MS1的柵極與PMOS管MS1的漏極以及PMOS管MS2的源極相連，PMOS管MS2的柵極與PMOS管MS2的漏極、NMOS管MS3的漏極、NMOS管MS4的柵極、NMOS管MS5的柵極以及NMOS管MS6的柵極相連，NMOS管MS3的源極與NMOS管MS4的源極、NMOS管MS5的源極、NMOS管MS6的源極以及外部地線GND相連；

在所述雙極型帶隙基準電路(2)中PMOS管M1的源極與PMOS管M2的源極、PMOS管M3的源極、PMOS管M4的源極、PMOS管M5的源極以及外部電源VDD相連，PMOS管M1的漏極與PNP型三極管Q1的發(fā)射極以及誤差放大器A1的反向輸入端相連，PMOS管M1的柵極與PMOS管M2的柵極、PMOS管M4的柵極、PMOS管M9的柵極、PMOS管M13的柵極、NMOS管MS5的漏極以及誤差放大器A1的輸出端相連，PNP型三極管Q1的基極與PNP型三極管Q1的集電極、PNP型三極管Q2的基極、PNP型三極管Q2的集電極以及外部地線GND相連，PMOS管M2的漏極與誤差放大器A1的正向輸入端、誤差放大器A2的反向輸入端以及電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端與PNP型三極管Q2的發(fā)射極相連，PMOS管M3的柵極與誤差放大器A2的輸出端、NMOS管MS4的漏極、PMOS管M5的柵極以及PMOS管M6的柵極相連，PMOS管M3的漏極與誤差放大器A2的正向輸入端以及電阻R2的一端相連，電阻R2的另一端與外部地線GND相連，PMOS管M4的漏極與PMOS管M5的漏極、帶隙基準輸出端VREF、NMOS管MS3的柵極以及電阻R3的一端相連，電阻R3的另一端與PMOS管M16的漏極以及電阻R4的一端相連，電阻R4的另一端與PMOS管M11的漏極、PMOS管M15的漏極以及電阻R5的一端相連，電阻R5的另一端與外部地線GND相連；

在所述分段線性溫度補償電路(3)中PMOS管M6的源極與PMOS管M9的源極、PMOS管M10的源極、PMOS管M11的源極、PMOS管M13的源極、PMOS管M14的源極、PMOS管M15的源極以及外部電源VDD相連，PMOS管M6的漏極與NMOS管M7的漏極、NMOS管M7的柵極、NMOS管M8的柵極以及NMOS管M12的柵極相連，NMOS管M7的源極與NMOS管M8的源極、NMOS管M12的源極以及外部地線GND相連，PMOS管M9的漏極與PMOS管M10的柵極、PMOS管M10的漏極、PMOS管M11的柵極以及NMOS管M8的漏極相連，PMOS管M13的漏極與PMOS管M14的柵極、PMOS管M14的漏極、PMOS管M15的柵極以及NMOS管M12的漏極相連；

在所述ΔV_GS溫度補償電路(4)中PMOS管M16的源極與PMOS管M17的源極、PMOS管M18的源極以及外部電源VDD相連，PMOS管M16的柵極與NMOS管MS6的漏極、PMOS管M17的柵極、PMOS管M18的柵極以及誤差放大器A3的輸出端相連，PMOS管M17的漏極與NMOS管M19的柵極、誤差放大器A3的反向輸入端以及電阻R6的一端相連，電阻R6的另一端與NMOS管M19的漏極相連，NMOS管M19的源極與NMOS管M20的源極以及外部地線GND相連，PMOS管M18的漏極與誤差放大器A3的正向輸入端以及電阻R7的一端相連，電阻R7的另一端與NMOS管M20的柵極以及NMOS管M20的漏極相連。