[發明專利]用于芯片測試設備的真空吸附裝置有效
| 申請號: | 201610330886.5 | 申請日: | 2016-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN107402345B | 公開(公告)日: | 2019-12-27 |
| 發明(設計)人: | 柳繼營;趙丹;黃海軍 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
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| 地址: | 214028 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 芯片 測試 設備 真空 吸附 裝置 | ||
1.一種用于芯片測試設備的真空吸附裝置,包括固定在一起的座體(8)與蓋板(1);所述蓋板(1)的外表面上設置有向外凸出的芯片引腳支撐壁(3),所述芯片引腳支撐壁(3)之間形成芯片容納腔(2);所述座體(8)上開有與所述芯片容納腔(2)的所處位置相對應的通孔(12);其特征是:所述座體(8)的通孔(12)與所述蓋板(1)的芯片容納腔(2)之間安裝有吸嘴部件(6),所述吸嘴部件(6)包括吸嘴柱體(18)及橡膠吸嘴(17),所述吸嘴柱體(18)上設置有軸向貫穿的氣孔(21),所述吸嘴柱體(18)的一端從所述座體(8)的通孔(12)內伸出,所述吸嘴柱體(18)的另一端固定有所述橡膠吸嘴(17),所述橡膠吸嘴(17)與所述氣孔(21)相連通,所述橡膠吸嘴(17)位于所述芯片容納腔(2)內;所述吸嘴柱體(18)的圓柱表面套有彈簧(9);
所述橡膠吸嘴(17)的端部可伸縮,所述橡膠吸嘴(17)的緩沖行程超過待測試芯片(4)的芯片引腳(5)與所述芯片引腳支撐壁(3)之間的最大間隙。
2.按照權利要求1所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述吸嘴柱體(18)由銅材制成。
3.按照權利要求1所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述吸嘴柱體(18)包括中間柱體(15)及位于所述中間柱體(15)兩側的第一柱體(13)與第二柱體(16),所述第二柱體(16)的外端設置有固定所述橡膠吸嘴(17)的吸嘴接口(19)。
4.按照權利要求3所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述吸嘴接口(19)上設置有錐形倒鉤(20)。
5.按照權利要求3所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述第一柱體(13)的圓柱表面開有凹槽(14),密封圈(10)安裝于所述凹槽(14)內。
6.按照權利要求1所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述橡膠吸嘴(17)的緩沖行程為待測試芯片(4)的芯片引腳(5)與所述芯片引腳支撐壁(3)之間最大間隙的兩倍。
7.按照權利要求6所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述待測試芯片(4)的芯片引腳(5)與所述芯片引腳支撐壁(3)之間最大間隙為0-1.2mm,所述橡膠吸嘴(17)的緩沖行程為1.2-2.4mm。
8.按照權利要求1所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述蓋板(1)與所述座體(8)之間設置有壓板(7);所述壓板(7)固定在所述座體(8)上并將所述吸嘴部件(6)壓住。
9.按照權利要求8所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述座體(8)內設置有定位凸臺(11)。
10.按照權利要求1所述的用于芯片測試設備的真空吸附裝置,其特征是:所述座體(8)內設置有兩套吸嘴部件(6)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





