[發(fā)明專利]一種紫外光掩膜裝置及其使用方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610325723.8
• 申請日: 2016-05-13
• 公開（公告）號: CN105759571A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金宰弘;趙致賢;張富強
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種紫外光掩膜裝置及其使用方法。

背景技術(shù)

目前，在制造顯示面板的過程中，在掩膜曝光機、邊緣曝光機、密封劑硬化器、以及觸摸面板的光學透明樹脂(OCR)硬化燈工藝中，一般會使用紫外光。在這些工藝中一般會采用特定吸收波長的紫外光，目前一般采用水銀燈和金屬鹵化物燈，目前使用的紫外燈會混合進一些在工藝中不需要使用的波長進行照射，因此具有一定的光損失且會危害工藝的穩(wěn)定性。并且，目前使用的紫外燈含有臭氧(O3)和重金屬水銀，對人體或環(huán)境會造成一定有害的影響。此外，由于現(xiàn)有的紫外燈在發(fā)光的過程中伴隨著巨大的熱能，如圖1所示，因此需要將紫外燈001與需要被光照射的部件例如掩膜基板200之間設(shè)定一定的距離a以便散熱，會降低光利用率，而現(xiàn)有的紫外燈為線光源，此時為了使照射到部件的光線均勻性，需要增大紫外燈的功耗，這會進一步增大光損失。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種紫外光掩膜裝置及其使用方法，用以解決現(xiàn)有的紫外光掩膜裝置中采用水銀燈和金屬鹵化物燈作為光源時光利用率低且光損失大的問題。

因此，本發(fā)明實施例提供了一種紫外光掩膜裝置，包括：設(shè)置有至少一種發(fā)射單一中心波長的紫外發(fā)光二極管紫外發(fā)光二極管的光源陣列；

設(shè)置在所述光源陣列下方且與所述光源陣列具有設(shè)定距離的掩膜基板，所述掩膜基板用于將掩膜板固定于所述掩膜基板的下方；以及，

設(shè)置在所述掩膜基板下方且與所述掩膜基板具有設(shè)定距離的載臺，所述載臺用于承載需要被所述掩膜板掩膜的基板。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，在所述光源陣列中，從中心區(qū)域指向邊緣的方向，所述紫外發(fā)光二極管的分布密度逐漸增大。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，在所述光源陣列中拐角區(qū)域內(nèi)所述紫外發(fā)光二極管的分布密度大于邊緣區(qū)域內(nèi)所述紫外發(fā)光二極管的分布密度。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，所述光源陣列中設(shè)置有至少兩種發(fā)射中心波長不同的紫外發(fā)光二極管，各種發(fā)射中心波長不同的紫外發(fā)光二極管在所述光源陣列的行方向和列方向均交替排列。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，所述光源陣列具有冷卻系統(tǒng)；和/或，

在所述紫外光掩膜裝置中設(shè)置有冷卻器或工藝冷卻水系統(tǒng)。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為50mm-120mm。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為80mm-100mm。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為90mm。

在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置中，所述紫外光掩膜裝置為紫外光掩膜固化裝置或紫外光掩膜曝光裝置。

另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述紫外光掩膜裝置的使用方法，包括：

在所述掩膜基板的下方固定所述掩膜板；

在所述載臺上固定形成有設(shè)定材料的基板；

采用所述光源陣列通過所述掩膜板的遮擋照射所述形成有設(shè)定材料的基板；所述光源陣列中的至少一種所述紫外發(fā)光二極管發(fā)射的中心波長與所述設(shè)定材料的吸收波長對應(yīng)。

本發(fā)明實施例的有益效果包括：

本發(fā)明實施例提供的一種紫外光掩膜裝置及其使用方法，在紫外光掩膜裝置中采用至少一種發(fā)射單一中心波長的紫外發(fā)光二極管形成的光源陣列作為紫外發(fā)光光源。紫外發(fā)光二極管不含有臭氧和重金屬水銀等有害物質(zhì)，不會對人體或環(huán)境產(chǎn)生有害影響。并且，紫外發(fā)光二極管可以發(fā)射單一中心波長，因此，可以針對掩膜工藝中所需的特定吸收波長設(shè)定紫外光發(fā)光二極管的發(fā)射中心波長，以實現(xiàn)預期的化學反應(yīng)或工藝，這樣可以降低光損失以及保證工藝的穩(wěn)定性。此外，紫外發(fā)光二極管為冷光源，其發(fā)光過程中產(chǎn)生的熱量較少，相對于現(xiàn)有的水銀燈和金屬鹵化物燈，可以移近紫外發(fā)光二極管和需要被光照射的部件之間的距離，從而降低光損失以提高光利用率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的紫外光掩膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的紫外光掩膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；