[發明專利]一種紫外光掩膜裝置及其使用方法

在審

• 申請號: 201610325723.8
• 申請日: 2016-05-13
• 公開（公告）號: CN105759571A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 金宰弘;趙致賢;張富強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種紫外光掩膜裝置，其特征在于，包括：設置有至少一種發射單一中心波長的紫外發光二極管的光源陣列；

設置在所述光源陣列下方且與所述光源陣列具有設定距離的掩膜基板，所述掩膜基板用于將掩膜板固定于所述掩膜基板的下方；以及，

設置在所述掩膜基板下方且與所述掩膜基板具有設定距離的載臺，所述載臺用于承載需要被所述掩膜板掩膜的基板。

2.如權利要求1所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，在所述光源陣列中，從中心區域指向邊緣的方向，所述紫外發光二極管的分布密度逐漸增大。

3.如權利要求2所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，在所述光源陣列中拐角區域內所述紫外發光二極管的分布密度大于邊緣區域內所述紫外發光二極管的分布密度。

4.如權利要求1所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列中設置有至少兩種發射中心波長不同的紫外發光二極管，各種發射中心波長不同的紫外發光二極管在所述光源陣列的行方向和列方向均交替排列。

5.如權利要求1所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列具有冷卻系統；和/或，

在所述紫外光掩膜裝置中設置有冷卻器或工藝冷卻水系統。

6.如權利要求5所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為50mm-120mm。

7.如權利要求6所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為80mm-100mm。

8.如權利要求7所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為90mm。

9.如權利要求1-8任一項所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述紫外光掩膜裝置為紫外光掩膜固化裝置或紫外光掩膜曝光裝置。

10.一種如權利要求1-9任一項所述的紫外光掩膜裝置的使用方法，其特征在于，包括：

在所述掩膜基板的下方固定所述掩膜板；

在所述載臺上固定形成有設定材料的基板；

采用所述光源陣列通過所述掩膜板的遮擋照射所述形成有設定材料的基板；所述光源陣列中的至少一種所述紫外發光二極管發射的中心波長與所述設定材料的吸收波長對應。