[發(fā)明專利]一種紫外光掩膜裝置及其使用方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610325723.8
• 申請日: 2016-05-13
• 公開（公告）號: CN105759571A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金宰弘;趙致賢;張富強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種紫外光掩膜裝置，其特征在于，包括：設(shè)置有至少一種發(fā)射單一中心波長的紫外發(fā)光二極管的光源陣列；

設(shè)置在所述光源陣列下方且與所述光源陣列具有設(shè)定距離的掩膜基板，所述掩膜基板用于將掩膜板固定于所述掩膜基板的下方；以及，

設(shè)置在所述掩膜基板下方且與所述掩膜基板具有設(shè)定距離的載臺，所述載臺用于承載需要被所述掩膜板掩膜的基板。

2.如權(quán)利要求1所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，在所述光源陣列中，從中心區(qū)域指向邊緣的方向，所述紫外發(fā)光二極管的分布密度逐漸增大。

3.如權(quán)利要求2所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，在所述光源陣列中拐角區(qū)域內(nèi)所述紫外發(fā)光二極管的分布密度大于邊緣區(qū)域內(nèi)所述紫外發(fā)光二極管的分布密度。

4.如權(quán)利要求1所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列中設(shè)置有至少兩種發(fā)射中心波長不同的紫外發(fā)光二極管，各種發(fā)射中心波長不同的紫外發(fā)光二極管在所述光源陣列的行方向和列方向均交替排列。

5.如權(quán)利要求1所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列具有冷卻系統(tǒng)；和/或，

在所述紫外光掩膜裝置中設(shè)置有冷卻器或工藝?yán)鋮s水系統(tǒng)。

6.如權(quán)利要求5所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為50mm-120mm。

7.如權(quán)利要求6所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為80mm-100mm。

8.如權(quán)利要求7所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述光源陣列與所述掩膜基板之間的距離為90mm。

9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的紫外光掩膜裝置，其特征在于，所述紫外光掩膜裝置為紫外光掩膜固化裝置或紫外光掩膜曝光裝置。

10.一種如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的紫外光掩膜裝置的使用方法，其特征在于，包括：

在所述掩膜基板的下方固定所述掩膜板；

在所述載臺上固定形成有設(shè)定材料的基板；

采用所述光源陣列通過所述掩膜板的遮擋照射所述形成有設(shè)定材料的基板；所述光源陣列中的至少一種所述紫外發(fā)光二極管發(fā)射的中心波長與所述設(shè)定材料的吸收波長對應(yīng)。