[發(fā)明專利]一種軟帶狀傳輸線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610325066.7
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN105845222B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 滿方明;盤龍;何大偉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海安費諾永億通訊電子有限公司
• 主分類號: H01B7/08
• 分類號: H01B7/08;H01B7/04;H01B5/16
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31236
• 代理人: 胡晶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及射頻傳輸線領(lǐng)域，特別涉及一種軟帶狀傳輸線。

背景技術(shù)

軟覆銅塑料膜層壓板通過印刷線路板制造技術(shù)可制成帶狀線結(jié)構(gòu)的射頻信號傳輸線，用于筆記本、手機等通信產(chǎn)品。

為實現(xiàn)好的收發(fā)無線信號，筆記本電腦天線通常設置在顯示屏端1.1，與位于鍵盤端1.3電路主板的射頻信號通訊一般采用同軸射頻傳輸線傳輸，顯示屏端1.1與鍵盤端1.3間通過鉸鏈1.2連接，實現(xiàn)相對140°或360°轉(zhuǎn)動，同軸射頻傳輸線從鉸鏈1.2中穿過，如圖1所示。可轉(zhuǎn)動的鉸鏈1.2要求射頻傳輸線隨鉸鏈轉(zhuǎn)動做長壽命彎折，并限制傳輸線外徑或總厚度尺寸，譬如小于0.5mm，同軸射頻傳輸線的厚度太寬，不適合用在有厚度限制的場合，帶狀傳輸線雖然相對于同軸傳輸線有比較薄的厚度尺寸，能適用于有厚度限制的場合，但對其數(shù)萬次彎折壽命要求是個大挑戰(zhàn)。

如圖2、3、4所示為現(xiàn)有的傳輸線的結(jié)構(gòu)，如圖2所示為常見的同軸射頻傳輸線的斷面圖，圖中2.1、2.2為同軸射頻信號傳輸線的金屬導電層，同軸射頻傳輸線的外徑D比較大，不適合于對厚度要求比較薄的場合，如果對其外徑減小，勢必會增加信號的傳輸損耗和制作難度；如圖3所示為常見的帶狀射頻傳輸線的斷面圖，圖中3.1、3.2為帶狀射頻傳輸線的金屬導電層，其包括三層導電層，三層導電層都采用銅箔層，雖然其厚度比較薄，但是銅箔的耐彎折性非常的差，反復彎折會使其嚴重變形甚至折斷；如圖4所示為常見的微帶射頻傳輸線的斷面圖，圖中4.1、4.2為微帶射頻傳輸線的金屬導電層，其厚度要比帶狀傳輸線更薄，但是其包括兩層金屬導電層，鉸鏈的金屬部件會對微帶狀射頻信號線中的射頻信號傳輸造成影響，使其傳輸性能變差。從上述分析可看出，現(xiàn)有的三種傳輸線都存在一定的缺點，鉸鏈的金屬部件使微帶射頻傳輸線傳輸射頻信號能力明顯變壞，同軸或帶狀射頻傳輸線隨外徑D或總厚度的減少而增加了傳輸損耗和制造難度，并且反復彎折也可使它們嚴重變形甚至折斷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提出一種軟帶狀傳輸線，上導電層和下導電層采用復合導電膜，射頻性能良好，且能夠耐數(shù)萬次彎折。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本發(fā)明提供一種軟帶狀傳輸線，其包括：從上至下依次分布的上導電層、中導電層以及下導電層，所述上導電層與所述中導電層之間設置有第一隔離層，所述中導電層與所述下導電層之間設置有第二隔離層，其中，

所述中間導電層中設置有信號線，所述信號線的兩端設置有焊盤；

所述上導電層以及所述下導電層為復合導電膜，所述復合導電膜包括：從外至內(nèi)依次設置的保護膜、第一導電層以及第二導電層。

較佳地，所述第一導電層為銅箔層，進一步地，

所述第二導電層為各向異性導電膠層。

較佳地，所述軟帶狀傳輸線沿長度方向包括彎折區(qū)域以及非彎折區(qū)域，所述彎折區(qū)域位于兩所述非彎折區(qū)域中間，所述焊盤位于所述非彎折區(qū)域，進一步地，

所述彎折區(qū)域的上導電層與所述非彎折區(qū)域的上導電層為不同的導電材料，所述彎折區(qū)域的下導電層與所述非彎折區(qū)域的下導電層也為不同的導電材料；所述彎折區(qū)域的上導電層與所述彎折區(qū)域的下導電層為所述復合導電膜，所述非彎折區(qū)域的上導電層與所述非彎折區(qū)域的下導電層為銅箔層。

較佳地，所述中導電層中設置有多個信號線，進一步地，

當相鄰兩所述信號線傳輸不同的信號時，該相鄰兩所述信號線之間的距離大于所述信號線的寬度的三倍。

較佳地，所述信號線的周圍設置有金屬化過孔，所述金屬化過孔連接所述上導電層與所述下導電層，進一步地，

相鄰兩所述信號線之間設置有所述金屬化過孔。

較佳地，所述軟帶狀傳輸線沿長度方向包括彎折區(qū)域以及非彎折區(qū)域，所述彎折區(qū)域位于兩所述非彎折區(qū)域中間，所述焊盤位于所述非彎折區(qū)域，進一步地，

所述彎折區(qū)域的所述信號線的周圍不設置所述金屬化過孔，所述非彎折區(qū)域的所述信號線的周圍設置所述金屬化過孔。

較佳地，所述非彎折區(qū)域的靠近所述彎折區(qū)域的區(qū)域設置有金屬化過孔。

較佳地，所述第一隔離層和/或所述第二隔離層為PI塑料膜和/或黏膠層。

較佳地，所述上導電層的內(nèi)表面與所述下導電層的內(nèi)表面之間的距離為200um-350um之間的任一值。

較佳地，所述第一導電層的厚度為2um-10um之間的任一值，進一步地，

所述第二導電層的厚度為7um-12um之間的任一值。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：